Canal N Orificio pasante 100 V 100A (Tc) 300W (Tc) PG-TO220-3-1
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IPP100N10S305AKSA1

N.º de producto de DigiKey
IPP100N10S305AKSA1-ND
Fabricante
Infineon Technologies
Número de pieza del fabricante
IPP100N10S305AKSA1
Descripción
MOSFET N-CH 100V 100A TO220-3
Referencia del cliente
Descripción detallada
Canal N Orificio pasante 100 V 100A (Tc) 300W (Tc) PG-TO220-3-1
Hoja de datos
 Hoja de datos
Atributos del producto
Tipo
Descripción
Seleccionar todo
Categoría
Fabricante
Infineon Technologies
Serie
OptiMOS™
Embalaje
Tubo
Estado de pieza
No para diseños nuevos
Tipo FET
Canal N
Tecnología
MOSFET (óxido de metal)
Voltaje de drenaje a fuente (Vdss)
100 V
Corriente - consumo continuo (Id) a 25ºC
100A (Tc)
Voltaje de impulso (encendido Rds máx., encendido Rds mín.)
10V
Rds On (máx) @ Id, Vgs
5.1mOhm a 100A, 10V
Vgs(th) (máx) a Id
4V a 240µA
Carga de compuerta (Qg) (máx.) a Vgs
176 nC @ 10 V
Vgs (máx.)
±20V
Capacitancia de entrada (Ciss) (máx.) a Vds
11570 pF @ 25 V
Característica de FET
-
Disipación de potencia (Máx.)
300W (Tc)
Temperatura de funcionamiento
-55°C ~ 175°C (TJ)
Grado
Uso automotriz
Calificación
AEC-Q101
Tipo de montaje
Orificio pasante
Paquete del dispositivo del proveedor
PG-TO220-3-1
Paquete / Caja (carcasa)
TO-220-3
Número de producto base
IPP100
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103,88400 €38,84 €
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Precio unitario con IVA:6,96960 €