IPP037N06L3GXKSA1 Infineon Technologies | Productos de semiconductores discretos

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IPP037N06L3GXKSA1
N.º de producto de DigiKey	IPP037N06L3GXKSA1-ND
Fabricante	Infineon Technologies
Número de pieza del fabricante	IPP037N06L3GXKSA1
Descripción	MOSFET N-CH 60V 90A TO220-3
Referencia del cliente
Descripción detallada	Canal N Orificio pasante 60 V 90A (Tc) 167W (Tc) PG-TO220-3
Hoja de datos	Hoja de datos
Modelos EDA/CAD	IPP037N06L3GXKSA1 Modelos

Atributos del producto

Tipo	Descripción	Seleccionar todo
Categoría	Productos de semiconductores discretos Transistores FET, MOSFET FET simple, MOSFET
Fabricante	Infineon Technologies
Serie	OptiMOS™
Embalaje	Tubo
Estado de pieza	Obsoleto
Tipo FET	Canal N
Tecnología	MOSFET (óxido de metal)
Voltaje de drenaje a fuente (Vdss)	60 V
Corriente - consumo continuo (Id) a 25ºC	90A (Tc)
Voltaje de impulso (encendido Rds máx., encendido Rds mín.)	4.5V, 10V
Rds On (máx) @ Id, Vgs	3.7mOhm a 90A, 10V
Vgs(th) (máx) a Id	2.2V a 93µA
Carga de compuerta (Qg) (máx.) a Vgs	79 nC @ 4.5 V
Vgs (máx.)	±20V
Capacitancia de entrada (Ciss) (máx.) a Vds	13000 pF @ 30 V
Característica de FET	-
Disipación de potencia (Máx.)	167W (Tc)
Temperatura de funcionamiento	-55°C ~ 175°C (TJ)
Grado	-
Calificación	-
Tipo de montaje	Orificio pasante
Paquete del dispositivo del proveedor	PG-TO220-3
Paquete / Caja (carcasa)	TO-220-3
Número de producto base	IPP037

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Cantidad

Todos los precios se expresan en EUR

Tubo

Cantidad	Precio por unidad	Precio ext.
1	2,33000 €	2,33 €
50	1,15320 €	57,66 €
100	1,03840 €	103,84 €

Paquete estándar del fabricante

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