Name: IPG20N06S2L35AATMA1
Brand: Infineon Technologies
SKU: IPG20N06S2L35AATMA1TR-ND
Price: 2.2869 EUR
Availability: InStock

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IPG20N06S2L35AATMA1
N.º de producto de DigiKey	IPG20N06S2L35AATMA1TR-ND - Cinta y rollo (TR) IPG20N06S2L35AATMA1CT-ND - Cinta cortada (CT) IPG20N06S2L35AATMA1DKR-ND - Digi-Reel®
Fabricante	Infineon Technologies
Número de pieza del fabricante	IPG20N06S2L35AATMA1
Descripción	MOSFET 2N-CH 55V 20A 8TDSON
Plazo estándar del fabricante	35 semanas
Referencia del cliente
Descripción detallada	MOSFET - Arreglos 55V 20H (Tc) 65W Montaje en superficie, lateral humedecible PG-TDSON-8-10
Hoja de datos	Hoja de datos
Modelos EDA/CAD	IPG20N06S2L35AATMA1 Modelos

Atributos del producto

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Categoría Productos de semiconductores discretos Transistores FET, MOSFET Arreglos FET, MOSFET	Vgs(th) (máx) a Id 2V a 27µA
Fabricante Infineon Technologies	Carga de compuerta (Qg) (máx.) a Vgs 23nC a 10V
Serie OptiMOS™	Capacitancia de entrada (Ciss) (máx.) a Vds 790pF a 25V
Embalaje Cinta y rollo (TR) Cinta cortada (CT) Digi-Reel®	Potencia - Máx. 65W
Estado de pieza Activo	Temperatura de funcionamiento -55°C ~ 175°C (TJ)
Tecnología MOSFET (óxido de metal)	Grado Uso automotriz
Configuración Dos canal N (doble)	Calificación AEC-Q101
Característica de FET Compuerta de nivel lógico	Tipo de montaje Montaje en superficie, lateral humedecible
Voltaje de drenaje a fuente (Vdss) 55V	Paquete / Caja (carcasa) 8-PowerVDFN
Corriente - consumo continuo (Id) a 25ºC 20H (Tc)	Paquete del dispositivo del proveedor PG-TDSON-8-10
Rds On (máx) @ Id, Vgs 35mOhm a 15A, 10V	Número de producto base IPG20N