Name: IPG20N04S4L11ATMA1
Brand: Infineon Technologies
SKU: IPG20N04S4L11ATMA1TR-ND
Price: 1.8029 EUR
Availability: InStock

IPG20N04S4L11ATMA1
N.º de producto de DigiKey	IPG20N04S4L11ATMA1TR-ND - Cinta y rollo (TR) IPG20N04S4L11ATMA1CT-ND - Cinta cortada (CT) IPG20N04S4L11ATMA1DKR-ND - Digi-Reel®
Fabricante	Infineon Technologies
Número de pieza del fabricante	IPG20N04S4L11ATMA1
Descripción	MOSFET 2N-CH 40V 20A 8TDSON
Referencia del cliente
Descripción detallada	MOSFET - Arreglos 40V 20A 41W Montaje en superficie PG-TDSON-8-4
Hoja de datos	Hoja de datos
Modelos EDA/CAD	IPG20N04S4L11ATMA1 Modelos

Tipo	Descripción	Seleccionar todo
Categoría	Productos de semiconductores discretos Transistores FET, MOSFET Arreglos FET, MOSFET
Fabricante	Infineon Technologies
Serie	OptiMOS™
Embalaje	Cinta y rollo (TR) Cinta cortada (CT) Digi-Reel®
Estado de pieza	No para diseños nuevos
Tecnología	MOSFET (óxido de metal)
Configuración	Dos canal N (doble)
Característica de FET	Compuerta de nivel lógico
Voltaje de drenaje a fuente (Vdss)	40V
Corriente - consumo continuo (Id) a 25ºC	20A
Rds On (máx) @ Id, Vgs	11.6mOhm a 17A, 10V
Vgs(th) (máx) a Id	2.2V a 15µA
Carga de compuerta (Qg) (máx.) a Vgs	26nC a 10V
Capacitancia de entrada (Ciss) (máx.) a Vds	1990pF a 25V
Potencia - Máx.	41W
Temperatura de funcionamiento	-55°C ~ 175°C (TJ)
Grado	Uso automotriz
Calificación	AEC-Q101
Tipo de montaje	Montaje en superficie
Paquete / Caja (carcasa)	8-PowerVDFN
Paquete del dispositivo del proveedor	PG-TDSON-8-4
Número de producto base	IPG20N

Cantidad	Precio por unidad	Precio ext.
5.000	0,38251 €	1.912,55 €
10.000	0,37092 €	3.709,20 €

Precio unitario sin IVA:	1,49000 €
Precio unitario con IVA:	1,80290 €

IPG20N04S4L11ATMA1