IPG20N04S408AATMA1 Infineon Technologies | Productos de semiconductores discretos

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IPG20N04S408AATMA1
N.º de producto de DigiKey	IPG20N04S408AATMA1TR-ND - Cinta y rollo (TR) IPG20N04S408AATMA1CT-ND - Cinta cortada (CT)
Fabricante	Infineon Technologies
Número de pieza del fabricante	IPG20N04S408AATMA1
Descripción	MOSFET 2N-CH 40V 20A 8TDSON
Referencia del cliente
Descripción detallada	MOSFET - Arreglos 40V 20A 65W Montaje en superficie, lateral humedecible PG-TDSON-8-10
Hoja de datos	Hoja de datos

Atributos del producto

Tipo	Descripción	Seleccionar todo
Categoría	Productos de semiconductores discretos Transistores FET, MOSFET Arreglos FET, MOSFET
Fabricante	Infineon Technologies
Serie	OptiMOS™
Embalaje	Cinta y rollo (TR) Cinta cortada (CT)
Estado de pieza	Obsoleto
Tecnología	MOSFET (óxido de metal)
Configuración	Dos canal N (doble)
Característica de FET	-
Voltaje de drenaje a fuente (Vdss)	40V
Corriente - consumo continuo (Id) a 25ºC	20A
Rds On (máx) @ Id, Vgs	7.6mOhm a 17A, 10V
Vgs(th) (máx) a Id	4V a 30µA
Carga de compuerta (Qg) (máx.) a Vgs	36nC a 10V
Capacitancia de entrada (Ciss) (máx.) a Vds	2940pF a 25V
Potencia - Máx.	65W
Temperatura de funcionamiento	-55°C ~ 175°C (TJ)
Grado	Uso automotriz
Calificación	AEC-Q101
Tipo de montaje	Montaje en superficie, lateral humedecible
Paquete / Caja (carcasa)	8-PowerVDFN
Paquete del dispositivo del proveedor	PG-TDSON-8-10
Número de producto base	IPG20N