Name: IPDQ65R018CM8XTMA1
Brand: Infineon Technologies
SKU: 448-IPDQ65R018CM8XTMA1TR-ND
Price: 17.1578 EUR
Availability: InStock

Foto demostrada es una representación solamente. Datos específicos deben se obtener de las hojas de datos del producto.

IPDQ65R018CM8XTMA1
N.º de producto de DigiKey	448-IPDQ65R018CM8XTMA1TR-ND - Cinta y rollo (TR) 448-IPDQ65R018CM8XTMA1CT-ND - Cinta cortada (CT) 448-IPDQ65R018CM8XTMA1DKR-ND - Digi-Reel®
Fabricante	Infineon Technologies
Número de pieza del fabricante	IPDQ65R018CM8XTMA1
Descripción	IPDQ65R018CM8XTMA1
Plazo estándar del fabricante	34 semanas
Referencia del cliente
Descripción detallada	Canal N Montaje en superficie 650 V 127H (Tc) 625W (Tc) PG-HDSOP-22
Hoja de datos	Hoja de datos
Modelos EDA/CAD	IPDQ65R018CM8XTMA1 Modelos

Atributos del producto

Filtrar productos similares

Mostrar atributos vacíos

Categoría Productos de semiconductores discretos Transistores FET, MOSFET FET simple, MOSFET	Rds On (máx) @ Id, Vgs 18mOhm a 55.6A, 10V
Fabricante Infineon Technologies	Vgs(th) (máx) a Id 4.7V a 1.48mA
Serie CoolMOS™	Carga de compuerta (Qg) (máx.) a Vgs 173 nC @ 10 V
Embalaje Cinta y rollo (TR) Cinta cortada (CT) Digi-Reel®	Vgs (máx.) ±20V
Estado de pieza Activo	Capacitancia de entrada (Ciss) (máx.) a Vds 8290 pF @ 400 V
Tipo FET Canal N	Disipación de potencia (Máx.) 625W (Tc)
Tecnología MOSFET (óxido de metal)	Temperatura de funcionamiento -55°C ~ 150°C (TJ)
Voltaje de drenaje a fuente (Vdss) 650 V	Tipo de montaje Montaje en superficie
Corriente - consumo continuo (Id) a 25ºC 127H (Tc)	Paquete del dispositivo del proveedor PG-HDSOP-22
Voltaje de impulso (encendido Rds máx., encendido Rds mín.) 10V	Paquete / Caja (carcasa) Módulo 22-PowerBSOP