Name: IPDD60R050G7XTMA1
Brand: Infineon Technologies
SKU: IPDD60R050G7XTMA1TR-ND
Price: 12.3299 EUR
Availability: InStock

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IPDD60R050G7XTMA1
N.º de producto de DigiKey	IPDD60R050G7XTMA1TR-ND - Cinta y rollo (TR) IPDD60R050G7XTMA1CT-ND - Cinta cortada (CT) IPDD60R050G7XTMA1DKR-ND - Digi-Reel®
Fabricante	Infineon Technologies
Número de pieza del fabricante	IPDD60R050G7XTMA1
Descripción	MOSFET N-CH 600V 47A HDSOP-10
Plazo estándar del fabricante	48 semanas
Referencia del cliente
Descripción detallada	Canal N Montaje en superficie 600 V 47H (Tc) 278W (Tc) PG-HDSOP-10-1
Hoja de datos	Hoja de datos
Modelos EDA/CAD	IPDD60R050G7XTMA1 Modelos

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Categoría Productos de semiconductores discretos Transistores FET, MOSFET FET simple, MOSFET	Vgs(th) (máx) a Id 4V a 800µA
Fabricante Infineon Technologies	Carga de compuerta (Qg) (máx.) a Vgs 68 nC @ 10 V
Serie CoolMOS™ G7	Vgs (máx.) ±20V
Embalaje Cinta y rollo (TR) Cinta cortada (CT) Digi-Reel®	Capacitancia de entrada (Ciss) (máx.) a Vds 2670 pF @ 400 V
Estado de pieza Activo	Disipación de potencia (Máx.) 278W (Tc)
Tipo FET Canal N	Temperatura de funcionamiento -55°C ~ 150°C (TJ)
Tecnología MOSFET (óxido de metal)	Tipo de montaje Montaje en superficie
Voltaje de drenaje a fuente (Vdss) 600 V	Paquete del dispositivo del proveedor PG-HDSOP-10-1
Corriente - consumo continuo (Id) a 25ºC 47H (Tc)	Paquete / Caja (carcasa) Módulo 10-PowerSOP
Voltaje de impulso (encendido Rds máx., encendido Rds mín.) 10V	Número de producto base IPDD60
Rds On (máx) @ Id, Vgs 50mOhm a 15.9A, 10V