Name: IPD80R2K7C3AATMA1
Brand: Infineon Technologies
SKU: 448-IPD80R2K7C3AATMA1TR-ND
Price: 2.5047 EUR
Availability: InStock

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IPD80R2K7C3AATMA1
N.º de producto de DigiKey	448-IPD80R2K7C3AATMA1TR-ND - Cinta y rollo (TR) 448-IPD80R2K7C3AATMA1CT-ND - Cinta cortada (CT) 448-IPD80R2K7C3AATMA1DKR-ND - Digi-Reel®
Fabricante	Infineon Technologies
Número de pieza del fabricante	IPD80R2K7C3AATMA1
Descripción	MOSFET N-CH TO252-3
Plazo estándar del fabricante	24 semanas
Referencia del cliente
Descripción detallada	Canal N Montaje en superficie 800 V 2H (Tc) 42W (Tc) TO-252AA (DPAK)
Hoja de datos	Hoja de datos
Modelos EDA/CAD	IPD80R2K7C3AATMA1 Modelos

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Categoría Productos de semiconductores discretos Transistores FET, MOSFET FET simple, MOSFET	Carga de compuerta (Qg) (máx.) a Vgs 1.5 nC @ 10 V
Fabricante Infineon Technologies	Vgs (máx.) ±20V
Serie CoolMOS™	Capacitancia de entrada (Ciss) (máx.) a Vds 290 pF @ 100 V
Embalaje Cinta y rollo (TR) Cinta cortada (CT) Digi-Reel®	Disipación de potencia (Máx.) 42W (Tc)
Estado de pieza Activo	Temperatura de funcionamiento -40°C ~ 150°C (TJ)
Tipo FET Canal N	Grado Uso automotriz
Tecnología MOSFET (óxido de metal)	Calificación AEC-Q101
Voltaje de drenaje a fuente (Vdss) 800 V	Tipo de montaje Montaje en superficie
Corriente - consumo continuo (Id) a 25ºC 2H (Tc)	Paquete del dispositivo del proveedor TO-252AA (DPAK)
Voltaje de impulso (encendido Rds máx., encendido Rds mín.) 10V	Paquete / Caja (carcasa) TO-252-3, DPAK (2 conductores + pestaña), SC-63
Rds On (máx) @ Id, Vgs 2.7Ohm a 1.2A, 10V	Número de producto base IPD80R2
Vgs(th) (máx) a Id 3.9V a 250µA