Name: IPD70N10S312ATMA1
Brand: Infineon Technologies
SKU: IPD70N10S312ATMA1TR-ND
Price: 3.5937 EUR
Availability: InStock

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IPD70N10S312ATMA1
N.º de producto de DigiKey	IPD70N10S312ATMA1TR-ND - Cinta y rollo (TR) IPD70N10S312ATMA1CT-ND - Cinta cortada (CT) IPD70N10S312ATMA1DKR-ND - Digi-Reel®
Fabricante	Infineon Technologies
Número de pieza del fabricante	IPD70N10S312ATMA1
Descripción	MOSFET N-CH 100V 70A TO252-3
Referencia del cliente
Descripción detallada	Canal N Montaje en superficie 100 V 70H (Tc) 125W (Tc) PG-TO252-3-11
Hoja de datos	Hoja de datos

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Categoría Productos de semiconductores discretos Transistores FET, MOSFET FET simple, MOSFET	Carga de compuerta (Qg) (máx.) a Vgs 65 nC @ 10 V
Fabricante Infineon Technologies	Vgs (máx.) ±20V
Serie OptiMOS™	Capacitancia de entrada (Ciss) (máx.) a Vds 4355 pF @ 25 V
Embalaje Cinta y rollo (TR) Cinta cortada (CT) Digi-Reel®	Disipación de potencia (Máx.) 125W (Tc)
Estado de pieza No para diseños nuevos	Temperatura de funcionamiento -55°C ~ 175°C (TJ)
Tipo FET Canal N	Grado Uso automotriz
Tecnología MOSFET (óxido de metal)	Calificación AEC-Q101
Voltaje de drenaje a fuente (Vdss) 100 V	Tipo de montaje Montaje en superficie
Corriente - consumo continuo (Id) a 25ºC 70H (Tc)	Paquete del dispositivo del proveedor PG-TO252-3-11
Voltaje de impulso (encendido Rds máx., encendido Rds mín.) 10V	Paquete / Caja (carcasa) TO-252-3, DPAK (2 conductores + pestaña), SC-63
Rds On (máx) @ Id, Vgs 11.1mOhm a 70A, 10V	Número de producto base IPD70
Vgs(th) (máx) a Id 4V a 83µA

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Documentos y medios

Clasificaciones medioambientales y de exportación

Recursos adicionales

Sustitutos (6)

N.° de pieza	Fabricante	Cantidad disponible	N.º de producto de DigiKey	Precio por unidad	Tipo de reemplazo
AOD2810	Alpha & Omega Semiconductor Inc.	0	AOD2810-ND	0,48951 €	Similar
FDD86110	onsemi	8.946	FDD86110CT-ND	3,26000 €	Similar
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