Name: IPD65R380E6ATMA1
Brand: Infineon Technologies
SKU: 448-IPD65R380E6ATMA1TR-ND
Price: 2.5047 EUR
Availability: InStock

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IPD65R380E6ATMA1
N.º de producto de DigiKey	448-IPD65R380E6ATMA1TR-ND - Cinta y rollo (TR) 448-IPD65R380E6ATMA1CT-ND - Cinta cortada (CT) 448-IPD65R380E6ATMA1DKR-ND - Digi-Reel®
Fabricante	Infineon Technologies
Número de pieza del fabricante	IPD65R380E6ATMA1
Descripción	MOSFET N-CH 650V 10.6A TO252-3
Referencia del cliente
Descripción detallada	Canal N Montaje en superficie 650 V 10.6A (Tc) 83W (Tc) PG-TO252-3
Hoja de datos	Hoja de datos
Modelos EDA/CAD	IPD65R380E6ATMA1 Modelos

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Categoría Productos de semiconductores discretos Transistores FET, MOSFET FET simple, MOSFET	Vgs(th) (máx) a Id 3.5V a 320µA
Fabricante Infineon Technologies	Carga de compuerta (Qg) (máx.) a Vgs 39 nC @ 10 V
Serie CoolMOS™ E6	Vgs (máx.) ±20V
Embalaje Cinta y rollo (TR) Cinta cortada (CT) Digi-Reel®	Capacitancia de entrada (Ciss) (máx.) a Vds 710 pF @ 100 V
Estado de pieza No para diseños nuevos	Disipación de potencia (Máx.) 83W (Tc)
Tipo FET Canal N	Temperatura de funcionamiento -55°C ~ 150°C (TJ)
Tecnología MOSFET (óxido de metal)	Tipo de montaje Montaje en superficie
Voltaje de drenaje a fuente (Vdss) 650 V	Paquete del dispositivo del proveedor PG-TO252-3
Corriente - consumo continuo (Id) a 25ºC 10.6A (Tc)	Paquete / Caja (carcasa) TO-252-3, DPAK (2 conductores + pestaña), SC-63
Voltaje de impulso (encendido Rds máx., encendido Rds mín.) 10V	Número de producto base IPD65R380
Rds On (máx) @ Id, Vgs 380mOhm a 3.2A, 10V

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Documentos y medios

Clasificaciones medioambientales y de exportación

Recursos adicionales

Sustitutos (1)

N.° de pieza	Fabricante	Cantidad disponible	N.º de producto de DigiKey	Precio por unidad	Tipo de reemplazo
STD16N60M2	STMicroelectronics	3.393	497-15461-1-ND	1,83000 €	Similar

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Cinta cortada (CT) & Digi-Reel®

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Cinta y rollo (TR)

Paquete estándar del fabricante

Precio unitario sin IVA:	2,07000 €
Precio unitario con IVA:	2,50470 €

IPD65R380E6ATMA1