Name: IPD50N10S3L16ATMA2
Brand: Infineon Technologies
SKU: 448-IPD50N10S3L16ATMA2TR-ND
Price: 3.0613 EUR
Availability: InStock

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IPD50N10S3L16ATMA2
N.º de producto de DigiKey	448-IPD50N10S3L16ATMA2TR-ND - Cinta y rollo (TR) 448-IPD50N10S3L16ATMA2CT-ND - Cinta cortada (CT) 448-IPD50N10S3L16ATMA2DKR-ND - Digi-Reel®
Fabricante	Infineon Technologies
Número de pieza del fabricante	IPD50N10S3L16ATMA2
Descripción	MOSFET_(75V 120V(
Plazo estándar del fabricante	18 semanas
Referencia del cliente
Descripción detallada	Canal N Montaje en superficie 100 V 50H (Tc) 100W (Tc) PG-TO252-3-11
Hoja de datos	Hoja de datos
Modelos EDA/CAD	IPD50N10S3L16ATMA2 Modelos

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Categoría Productos de semiconductores discretos Transistores FET, MOSFET FET simple, MOSFET	Carga de compuerta (Qg) (máx.) a Vgs 64 nC @ 10 V
Fabricante Infineon Technologies	Vgs (máx.) ±20V
Embalaje Cinta y rollo (TR) Cinta cortada (CT) Digi-Reel®	Capacitancia de entrada (Ciss) (máx.) a Vds 4180 pF @ 25 V
Estado de pieza Activo	Disipación de potencia (Máx.) 100W (Tc)
Tipo FET Canal N	Temperatura de funcionamiento -55°C ~ 175°C (TJ)
Tecnología MOSFET (óxido de metal)	Grado Uso automotriz
Voltaje de drenaje a fuente (Vdss) 100 V	Calificación AEC-Q101
Corriente - consumo continuo (Id) a 25ºC 50H (Tc)	Tipo de montaje Montaje en superficie
Voltaje de impulso (encendido Rds máx., encendido Rds mín.) 4.5V, 10V	Paquete del dispositivo del proveedor PG-TO252-3-11
Rds On (máx) @ Id, Vgs 15mOhm a 50A, 10V	Paquete / Caja (carcasa) TO-252-3, DPAK (2 conductores + pestaña), SC-63
Vgs(th) (máx) a Id 2.4V a 60µA