Name: IPD50N04S410ATMA1
Brand: Infineon Technologies
SKU: IPD50N04S410ATMA1TR-ND
Price: 1.3068 EUR
Availability: InStock

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IPD50N04S410ATMA1
N.º de producto de DigiKey	IPD50N04S410ATMA1TR-ND - Cinta y rollo (TR) IPD50N04S410ATMA1CT-ND - Cinta cortada (CT) IPD50N04S410ATMA1DKR-ND - Digi-Reel®
Fabricante	Infineon Technologies
Número de pieza del fabricante	IPD50N04S410ATMA1
Descripción	MOSFET N-CH 40V 50A TO252-3-313
Plazo estándar del fabricante	18 semanas
Referencia del cliente
Descripción detallada	Canal N Montaje en superficie 40 V 50H (Tc) 41W (Tc) PG-TO252-3-313
Hoja de datos	Hoja de datos
Modelos EDA/CAD	IPD50N04S410ATMA1 Modelos

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Categoría Productos de semiconductores discretos Transistores FET, MOSFET FET simple, MOSFET	Carga de compuerta (Qg) (máx.) a Vgs 18.2 nC @ 10 V
Fabricante Infineon Technologies	Vgs (máx.) ±20V
Serie OptiMOS™	Capacitancia de entrada (Ciss) (máx.) a Vds 1430 pF @ 25 V
Embalaje Cinta y rollo (TR) Cinta cortada (CT) Digi-Reel®	Disipación de potencia (Máx.) 41W (Tc)
Estado de pieza Activo	Temperatura de funcionamiento -55°C ~ 175°C (TJ)
Tipo FET Canal N	Grado Uso automotriz
Tecnología MOSFET (óxido de metal)	Calificación AEC-Q101
Voltaje de drenaje a fuente (Vdss) 40 V	Tipo de montaje Montaje en superficie
Corriente - consumo continuo (Id) a 25ºC 50H (Tc)	Paquete del dispositivo del proveedor PG-TO252-3-313
Voltaje de impulso (encendido Rds máx., encendido Rds mín.) 10V	Paquete / Caja (carcasa) TO-252-3, DPAK (2 conductores + pestaña), SC-63
Rds On (máx) @ Id, Vgs 9.3mOhm a 50A, 10V	Número de producto base IPD50
Vgs(th) (máx) a Id 4V a 15µA

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Recursos adicionales

Sustitutos (2)

N.° de pieza	Fabricante	Cantidad disponible	N.º de producto de DigiKey	Precio por unidad	Tipo de reemplazo
NP75N04VUK-E1-AY	Renesas Electronics Corporation	6.448	559-NP75N04VUK-E1-AYCT-ND	1,90000 €	Similar
STD64N4F6AG	STMicroelectronics	704	497-16304-1-ND	1,33000 €	Similar

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