Canal N Montaje en superficie 30 V 50A (Tc) 56W (Tc) PG-TO252-3-11
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IPD50N03S4L06ATMA1

N.º de producto de DigiKey
IPD50N03S4L06ATMA1TR-ND - Cinta y rollo (TR)
IPD50N03S4L06ATMA1CT-ND - Cinta cortada (CT)
Fabricante
Infineon Technologies
Número de pieza del fabricante
IPD50N03S4L06ATMA1
Descripción
MOSFET N-CH 30V 50A TO252-31
Plazo estándar del fabricante
18 semanas
Referencia del cliente
Descripción detallada
Canal N Montaje en superficie 30 V 50A (Tc) 56W (Tc) PG-TO252-3-11
Hoja de datos
 Hoja de datos
Modelos EDA/CAD
IPD50N03S4L06ATMA1 Modelos
Atributos del producto
Tipo
Descripción
Seleccionar todo
Categoría
Fabricante
Infineon Technologies
Serie
OptiMOS™
Embalaje
Cinta y rollo (TR)
Cinta cortada (CT)
Estado de pieza
Activo
Tipo FET
Canal N
Tecnología
MOSFET (óxido de metal)
Voltaje de drenaje a fuente (Vdss)
30 V
Corriente - consumo continuo (Id) a 25ºC
50A (Tc)
Voltaje de impulso (encendido Rds máx., encendido Rds mín.)
4.5V, 10V
Rds On (máx) @ Id, Vgs
5.5mOhm a 50A, 10V
Vgs(th) (máx) a Id
2.2V a 20µA
Carga de compuerta (Qg) (máx.) a Vgs
31 nC @ 10 V
Vgs (máx.)
±16V
Capacitancia de entrada (Ciss) (máx.) a Vds
2330 pF @ 25 V
Característica de FET
-
Disipación de potencia (Máx.)
56W (Tc)
Temperatura de funcionamiento
-55°C ~ 175°C (TJ)
Grado
Uso automotriz
Calificación
AEC-Q101
Tipo de montaje
Montaje en superficie
Paquete del dispositivo del proveedor
PG-TO252-3-11
Paquete / Caja (carcasa)
TO-252-3, DPAK (2 conductores + pestaña), SC-63
Número de producto base
IPD50
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En stock: 2.068
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Cantidad
Todos los precios se expresan en EUR
Cinta cortada (CT)
Cantidad Precio por unidad Precio ext.
11,23000 €1,23 €
100,77300 €7,73 €
1000,51090 €51,09 €
5000,39820 €199,10 €
1.0000,36192 €361,92 €
Cinta y rollo (TR)
Cantidad Precio por unidad Precio ext.
2.5000,28449 €711,23 €
5.0000,26308 €1.315,40 €
7.5000,25217 €1.891,28 €
12.5000,24897 €3.112,12 €
Paquete estándar del fabricante
Precio unitario sin IVA:1,23000 €
Precio unitario con IVA:1,48830 €
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