Name: IPD35N10S3L26ATMA2
Brand: Infineon Technologies
SKU: 448-IPD35N10S3L26ATMA2TR-ND
Price: 2.4321 EUR
Availability: InStock

IPD35N10S3L26ATMA2
N.º de producto de DigiKey	448-IPD35N10S3L26ATMA2TR-ND - Cinta y rollo (TR) 448-IPD35N10S3L26ATMA2CT-ND - Cinta cortada (CT) 448-IPD35N10S3L26ATMA2DKR-ND - Digi-Reel®
Fabricante	Infineon Technologies
Número de pieza del fabricante	IPD35N10S3L26ATMA2
Descripción	MOSFET_(75V 120V(
Plazo estándar del fabricante	18 semanas
Referencia del cliente
Descripción detallada	Canal N Montaje en superficie 100 V 35A (Tc) 71W (Tc) PG-TO252-3-11
Hoja de datos	Hoja de datos
Modelos EDA/CAD	IPD35N10S3L26ATMA2 Modelos

Tipo	Descripción	Seleccionar todo
Categoría	Productos de semiconductores discretos Transistores FET, MOSFET FET simple, MOSFET
Fabricante	Infineon Technologies
Serie	-
Embalaje	Cinta y rollo (TR) Cinta cortada (CT) Digi-Reel®
Estado de pieza	Activo
Tipo FET	Canal N
Tecnología	MOSFET (óxido de metal)
Voltaje de drenaje a fuente (Vdss)	100 V
Corriente - consumo continuo (Id) a 25ºC	35A (Tc)
Voltaje de impulso (encendido Rds máx., encendido Rds mín.)	4.5V, 10V
Rds On (máx) @ Id, Vgs	24mOhm a 35A, 10V
Vgs(th) (máx) a Id	2.4V a 39µA
Carga de compuerta (Qg) (máx.) a Vgs	39 nC @ 10 V
Vgs (máx.)	±20V
Capacitancia de entrada (Ciss) (máx.) a Vds	2700 pF @ 25 V
Característica de FET	-
Disipación de potencia (Máx.)	71W (Tc)
Temperatura de funcionamiento	-55°C ~ 175°C (TJ)
Grado	Uso automotriz
Calificación	AEC-Q101
Tipo de montaje	Montaje en superficie
Paquete del dispositivo del proveedor	PG-TO252-3-11
Paquete / Caja (carcasa)	TO-252-3, DPAK (2 conductores + pestaña), SC-63

Precio unitario sin IVA:	2,01000 €
Precio unitario con IVA:	2,43210 €

IPD35N10S3L26ATMA2