Name: IPD30N08S2L21ATMA1
Brand: Infineon Technologies
SKU: IPD30N08S2L21ATMA1TR-ND
Price: 2.6741 EUR
Availability: InStock

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IPD30N08S2L21ATMA1
N.º de producto de DigiKey	IPD30N08S2L21ATMA1TR-ND - Cinta y rollo (TR) IPD30N08S2L21ATMA1CT-ND - Cinta cortada (CT) IPD30N08S2L21ATMA1DKR-ND - Digi-Reel®
Fabricante	Infineon Technologies
Número de pieza del fabricante	IPD30N08S2L21ATMA1
Descripción	MOSFET N-CH 75V 30A TO252-3
Plazo estándar del fabricante	18 semanas
Referencia del cliente
Descripción detallada	Canal N Montaje en superficie 75 V 30A (Tc) 136W (Tc) PG-TO252-3-11
Hoja de datos	Hoja de datos
Modelos EDA/CAD	IPD30N08S2L21ATMA1 Modelos

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Categoría Productos de semiconductores discretos Transistores FET, MOSFET FET simple, MOSFET	Carga de compuerta (Qg) (máx.) a Vgs 72 nC @ 10 V
Fabricante Infineon Technologies	Vgs (máx.) ±20V
Serie OptiMOS™	Capacitancia de entrada (Ciss) (máx.) a Vds 1650 pF @ 25 V
Embalaje Cinta y rollo (TR) Cinta cortada (CT) Digi-Reel®	Disipación de potencia (Máx.) 136W (Tc)
Estado de pieza Activo	Temperatura de funcionamiento -55°C ~ 175°C (TJ)
Tipo FET Canal N	Grado Uso automotriz
Tecnología MOSFET (óxido de metal)	Calificación AEC-Q101
Voltaje de drenaje a fuente (Vdss) 75 V	Tipo de montaje Montaje en superficie
Corriente - consumo continuo (Id) a 25ºC 30A (Tc)	Paquete del dispositivo del proveedor PG-TO252-3-11
Voltaje de impulso (encendido Rds máx., encendido Rds mín.) 4.5V, 10V	Paquete / Caja (carcasa) TO-252-3, DPAK (2 conductores + pestaña), SC-63
Rds On (máx) @ Id, Vgs 20.5mOhm a 25A, 10V	Número de producto base IPD30N08
Vgs(th) (máx) a Id 2V a 80µA