Name: IPD30N08S222ATMA1
Brand: Infineon Technologies
SKU: 448-IPD30N08S222ATMA1TR-ND
Price: 2.6257 EUR
Availability: InStock

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IPD30N08S222ATMA1
N.º de producto de DigiKey	448-IPD30N08S222ATMA1TR-ND - Cinta y rollo (TR) 448-IPD30N08S222ATMA1CT-ND - Cinta cortada (CT) 448-IPD30N08S222ATMA1DKR-ND - Digi-Reel®
Fabricante	Infineon Technologies
Número de pieza del fabricante	IPD30N08S222ATMA1
Descripción	MOSFET N-CH 75V 30A TO252-3
Plazo estándar del fabricante	18 semanas
Referencia del cliente
Descripción detallada	Canal N Montaje en superficie 75 V 30A (Tc) 136W (Tc) PG-TO252-3-11
Hoja de datos	Hoja de datos
Modelos EDA/CAD	IPD30N08S222ATMA1 Modelos

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Categoría Productos de semiconductores discretos Transistores FET, MOSFET FET simple, MOSFET	Carga de compuerta (Qg) (máx.) a Vgs 57 nC @ 10 V
Fabricante Infineon Technologies	Vgs (máx.) ±20V
Serie OptiMOS™	Capacitancia de entrada (Ciss) (máx.) a Vds 1400 pF @ 25 V
Embalaje Cinta y rollo (TR) Cinta cortada (CT) Digi-Reel®	Disipación de potencia (Máx.) 136W (Tc)
Estado de pieza Activo	Temperatura de funcionamiento -55°C ~ 175°C (TJ)
Tipo FET Canal N	Grado Uso automotriz
Tecnología MOSFET (óxido de metal)	Calificación AEC-Q101
Voltaje de drenaje a fuente (Vdss) 75 V	Tipo de montaje Montaje en superficie
Corriente - consumo continuo (Id) a 25ºC 30A (Tc)	Paquete del dispositivo del proveedor PG-TO252-3-11
Voltaje de impulso (encendido Rds máx., encendido Rds mín.) 10V	Paquete / Caja (carcasa) TO-252-3, DPAK (2 conductores + pestaña), SC-63
Rds On (máx) @ Id, Vgs 21.5mOhm a 50A, 10V	Número de producto base IPD30N08
Vgs(th) (máx) a Id 4V a 80µA

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Documentos y medios

Clasificaciones medioambientales y de exportación

Recursos adicionales

Sustitutos (3)

N.° de pieza	Fabricante	Cantidad disponible	N.º de producto de DigiKey	Precio por unidad	Tipo de reemplazo
DMN6017SK3-13	Diodes Incorporated	159	31-DMN6017SK3-13CT-ND	0,87000 €	Similar
STD35NF06LT4	STMicroelectronics	42.632	497-7965-1-ND	1,85000 €	Similar
STD45NF75T4	STMicroelectronics	9.987	497-4334-1-ND	2,23000 €	Similar