Name: IPD11DP10NMATMA1
Brand: Infineon Technologies
SKU: 448-IPD11DP10NMATMA1TR-ND
Price: 2.2627 EUR
Availability: InStock

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IPD11DP10NMATMA1
N.º de producto de DigiKey	448-IPD11DP10NMATMA1TR-ND - Cinta y rollo (TR) 448-IPD11DP10NMATMA1CT-ND - Cinta cortada (CT) 448-IPD11DP10NMATMA1DKR-ND - Digi-Reel®
Fabricante	Infineon Technologies
Número de pieza del fabricante	IPD11DP10NMATMA1
Descripción	TRENCH >=100V PG-TO252-3
Plazo estándar del fabricante	25 semanas
Referencia del cliente
Descripción detallada	Canal P Montaje en superficie 100 V 3.4A (Ta), 22A (Tc) 3W (Ta), 125W (Tc) PG-TO252-3
Hoja de datos	Hoja de datos
Modelos EDA/CAD	IPD11DP10NMATMA1 Modelos

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Categoría Productos de semiconductores discretos Transistores FET, MOSFET FET simple, MOSFET	Vgs(th) (máx) a Id 4V a 1.7mA
Fabricante Infineon Technologies	Carga de compuerta (Qg) (máx.) a Vgs 74 nC @ 10 V
Serie OptiMOS™	Vgs (máx.) ±20V
Embalaje Cinta y rollo (TR) Cinta cortada (CT) Digi-Reel®	Capacitancia de entrada (Ciss) (máx.) a Vds 3200 pF @ 50 V
Estado de pieza Activo	Disipación de potencia (Máx.) 3W (Ta), 125W (Tc)
Tipo FET Canal P	Temperatura de funcionamiento -55°C ~ 175°C (TJ)
Tecnología MOSFET (óxido de metal)	Tipo de montaje Montaje en superficie
Voltaje de drenaje a fuente (Vdss) 100 V	Paquete del dispositivo del proveedor PG-TO252-3
Corriente - consumo continuo (Id) a 25ºC 3.4A (Ta), 22A (Tc)	Paquete / Caja (carcasa) TO-252-3, DPAK (2 conductores + pestaña), SC-63
Voltaje de impulso (encendido Rds máx., encendido Rds mín.) 10V	Número de producto base IPD11D
Rds On (máx) @ Id, Vgs 111mOhm a 18A, 10V