Name: IPD11DP10NMATMA1
Brand: Infineon Technologies
SKU: 448-IPD11DP10NMATMA1TR-ND
Price: 2.1296 EUR
Availability: InStock

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IPD11DP10NMATMA1
N.º de producto de DigiKey	448-IPD11DP10NMATMA1TR-ND - Cinta y rollo (TR) 448-IPD11DP10NMATMA1CT-ND - Cinta cortada (CT) 448-IPD11DP10NMATMA1DKR-ND - Digi-Reel®
Fabricante	Infineon Technologies
Número de pieza del fabricante	IPD11DP10NMATMA1
Descripción	TRENCH >=100V PG-TO252-3
Plazo estándar del fabricante	26 semanas
Referencia del cliente
Descripción detallada	Canal P Montaje en superficie 100 V 3.4A (Ta), 22A (Tc) 3W (Ta), 125W (Tc) PG-TO252-3
Hoja de datos	Hoja de datos
Modelos EDA/CAD	IPD11DP10NMATMA1 Modelos

Atributos del producto

Tipo	Descripción	Seleccionar todo
Categoría	Productos de semiconductores discretos Transistores FET, MOSFET FET simple, MOSFET
Fabricante	Infineon Technologies
Serie	OptiMOS™
Embalaje	Cinta y rollo (TR) Cinta cortada (CT) Digi-Reel®
Estado de pieza	Activo
Tipo FET	Canal P
Tecnología	MOSFET (óxido de metal)
Voltaje de drenaje a fuente (Vdss)	100 V
Corriente - consumo continuo (Id) a 25ºC	3.4A (Ta), 22A (Tc)
Voltaje de impulso (encendido Rds máx., encendido Rds mín.)	10V
Rds On (máx) @ Id, Vgs	111mOhm a 18A, 10V
Vgs(th) (máx) a Id	4V a 1.7mA
Carga de compuerta (Qg) (máx.) a Vgs	74 nC @ 10 V
Vgs (máx.)	±20V
Capacitancia de entrada (Ciss) (máx.) a Vds	3200 pF @ 50 V
Característica de FET	-
Disipación de potencia (Máx.)	3W (Ta), 125W (Tc)
Temperatura de funcionamiento	-55°C ~ 175°C (TJ)
Grado	-
Calificación	-
Tipo de montaje	Montaje en superficie
Paquete del dispositivo del proveedor	PG-TO252-3
Paquete / Caja (carcasa)	TO-252-3, DPAK (2 conductores + pestaña), SC-63
Número de producto base	IPD11D