Name: IPD110N12N3GATMA1
Brand: Infineon Technologies
SKU: IPD110N12N3GATMA1TR-ND
Price: 2.9161 EUR
Availability: InStock

IPD110N12N3GATMA1
N.º de producto de DigiKey	IPD110N12N3GATMA1TR-ND - Cinta y rollo (TR) IPD110N12N3GATMA1CT-ND - Cinta cortada (CT) IPD110N12N3GATMA1DKR-ND - Digi-Reel®
Fabricante	Infineon Technologies
Número de pieza del fabricante	IPD110N12N3GATMA1
Descripción	MOSFET N-CH 120V 75A TO252-3
Plazo estándar del fabricante	20 semanas
Referencia del cliente
Descripción detallada	Canal N Montaje en superficie 120 V 75A (Tc) 136W (Tc) PG-TO252-3
Hoja de datos	Hoja de datos
Modelos EDA/CAD	IPD110N12N3GATMA1 Modelos

Tipo	Descripción	Seleccionar todo
Categoría	Productos de semiconductores discretos Transistores FET, MOSFET FET simple, MOSFET
Fabricante	Infineon Technologies
Serie	OptiMOS™
Embalaje	Cinta y rollo (TR) Cinta cortada (CT) Digi-Reel®
Estado de pieza	Activo
Tipo FET	Canal N
Tecnología	MOSFET (óxido de metal)
Voltaje de drenaje a fuente (Vdss)	120 V
Corriente - consumo continuo (Id) a 25ºC	75A (Tc)
Voltaje de impulso (encendido Rds máx., encendido Rds mín.)	10V
Rds On (máx) @ Id, Vgs	11mOhm a 75A, 10V
Vgs(th) (máx) a Id	3V a 83µA (típico)
Carga de compuerta (Qg) (máx.) a Vgs	65 nC @ 10 V
Vgs (máx.)	±20V
Capacitancia de entrada (Ciss) (máx.) a Vds	4310 pF @ 60 V
Característica de FET	-
Disipación de potencia (Máx.)	136W (Tc)
Temperatura de funcionamiento	-55°C ~ 175°C (TJ)
Grado	-
Calificación	-
Tipo de montaje	Montaje en superficie
Paquete del dispositivo del proveedor	PG-TO252-3
Paquete / Caja (carcasa)	TO-252-3, DPAK (2 conductores + pestaña), SC-63
Número de producto base	IPD110

Precio unitario sin IVA:	2,41000 €
Precio unitario con IVA:	2,91610 €

IPD110N12N3GATMA1