Name: IPD055N08NF2SATMA1
Brand: Infineon Technologies
SKU: 448-IPD055N08NF2SATMA1TR-ND
Price: 2.6257 EUR
Availability: InStock

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IPD055N08NF2SATMA1
N.º de producto de DigiKey	448-IPD055N08NF2SATMA1TR-ND - Cinta y rollo (TR) 448-IPD055N08NF2SATMA1CT-ND - Cinta cortada (CT) 448-IPD055N08NF2SATMA1DKR-ND - Digi-Reel®
Fabricante	Infineon Technologies
Número de pieza del fabricante	IPD055N08NF2SATMA1
Descripción	MOSFET
Plazo estándar del fabricante	25 semanas
Referencia del cliente
Descripción detallada	Canal N Montaje en superficie 80 V 17A (Ta), 98A (Tc) 3W (Ta), 107W (Tc) PG-TO252-3
Hoja de datos	Hoja de datos
Modelos EDA/CAD	IPD055N08NF2SATMA1 Modelos

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Categoría Productos de semiconductores discretos Transistores FET, MOSFET FET simple, MOSFET	Rds On (máx) @ Id, Vgs 5.5mOhm a 60A, 10V
Fabricante Infineon Technologies	Vgs(th) (máx) a Id 3.8V a 55µA
Serie StrongIRFET™ 2	Carga de compuerta (Qg) (máx.) a Vgs 54 nC @ 10 V
Embalaje Cinta y rollo (TR) Cinta cortada (CT) Digi-Reel®	Vgs (máx.) ±20V
Estado de pieza Activo	Capacitancia de entrada (Ciss) (máx.) a Vds 2500 pF @ 40 V
Tipo FET Canal N	Disipación de potencia (Máx.) 3W (Ta), 107W (Tc)
Tecnología MOSFET (óxido de metal)	Temperatura de funcionamiento -55°C ~ 175°C (TJ)
Voltaje de drenaje a fuente (Vdss) 80 V	Tipo de montaje Montaje en superficie
Corriente - consumo continuo (Id) a 25ºC 17A (Ta), 98A (Tc)	Paquete del dispositivo del proveedor PG-TO252-3
Voltaje de impulso (encendido Rds máx., encendido Rds mín.) 6V, 10V	Paquete / Caja (carcasa) TO-252-3, DPAK (2 conductores + pestaña), SC-63