Name: IPD023N04NF2SATMA1
Brand: Infineon Technologies
SKU: 448-IPD023N04NF2SATMA1TR-ND
Price: 1.9481 EUR
Availability: InStock

IPD023N04NF2SATMA1
N.º de producto de DigiKey	448-IPD023N04NF2SATMA1TR-ND - Cinta y rollo (TR) 448-IPD023N04NF2SATMA1CT-ND - Cinta cortada (CT) 448-IPD023N04NF2SATMA1DKR-ND - Digi-Reel®
Fabricante	Infineon Technologies
Número de pieza del fabricante	IPD023N04NF2SATMA1
Descripción	TRENCH <= 40V
Plazo estándar del fabricante	17 semanas
Referencia del cliente
Descripción detallada	Canal N Montaje en superficie 40 V 27A (Ta), 143A (Tc) 3W (Ta), 150W (Tc) PG-TO252-3
Hoja de datos	Hoja de datos
Modelos EDA/CAD	IPD023N04NF2SATMA1 Modelos

Tipo	Descripción	Seleccionar todo
Categoría	Productos de semiconductores discretos Transistores FET, MOSFET FET simple, MOSFET
Fabricante	Infineon Technologies
Serie	StrongIRFET™2
Embalaje	Cinta y rollo (TR) Cinta cortada (CT) Digi-Reel®
Estado de pieza	Activo
Tipo FET	Canal N
Tecnología	MOSFET (óxido de metal)
Voltaje de drenaje a fuente (Vdss)	40 V
Corriente - consumo continuo (Id) a 25ºC	27A (Ta), 143A (Tc)
Voltaje de impulso (encendido Rds máx., encendido Rds mín.)	6V, 10V
Rds On (máx) @ Id, Vgs	2.3mOhm a 70A, 10V
Vgs(th) (máx) a Id	3.4V a 81µA
Carga de compuerta (Qg) (máx.) a Vgs	102 nC @ 10 V
Vgs (máx.)	±20V
Capacitancia de entrada (Ciss) (máx.) a Vds	4800 pF @ 20 V
Característica de FET	-
Disipación de potencia (Máx.)	3W (Ta), 150W (Tc)
Temperatura de funcionamiento	-55°C ~ 175°C (TJ)
Grado	-
Calificación	-
Tipo de montaje	Montaje en superficie
Paquete del dispositivo del proveedor	PG-TO252-3
Paquete / Caja (carcasa)	TO-252-3, DPAK (2 conductores + pestaña), SC-63
Número de producto base	IPD023

Precio unitario sin IVA:	1,61000 €
Precio unitario con IVA:	1,94810 €

IPD023N04NF2SATMA1