Name: IPB65R150CFDAATMA1
Brand: Infineon Technologies
SKU: 448-IPB65R150CFDAATMA1TR-ND
Price: 5.2514 EUR
Availability: InStock

IPB65R150CFDAATMA1
N.º de producto de DigiKey	448-IPB65R150CFDAATMA1TR-ND - Cinta y rollo (TR) 448-IPB65R150CFDAATMA1CT-ND - Cinta cortada (CT) 448-IPB65R150CFDAATMA1DKR-ND - Digi-Reel®
Fabricante	Infineon Technologies
Número de pieza del fabricante	IPB65R150CFDAATMA1
Descripción	MOSFET N-CH 650V 22.4A D2PAK
Referencia del cliente
Descripción detallada	Canal N Montaje en superficie 650 V 22.4A (Tc) 195.3W (Tc) PG-TO263-3
Hoja de datos	Hoja de datos
Modelos EDA/CAD	IPB65R150CFDAATMA1 Modelos

Tipo	Descripción	Seleccionar todo
Categoría	Productos de semiconductores discretos Transistores FET, MOSFET FET simple, MOSFET
Fabricante	Infineon Technologies
Serie	CoolMOS™
Embalaje	Cinta y rollo (TR) Cinta cortada (CT) Digi-Reel®
Estado de pieza	Última compra
Tipo FET	Canal N
Tecnología	MOSFET (óxido de metal)
Voltaje de drenaje a fuente (Vdss)	650 V
Corriente - consumo continuo (Id) a 25ºC	22.4A (Tc)
Voltaje de impulso (encendido Rds máx., encendido Rds mín.)	10V
Rds On (máx) @ Id, Vgs	150mOhm a 9.3A, 10V
Vgs(th) (máx) a Id	4.5V a 900µA
Carga de compuerta (Qg) (máx.) a Vgs	86 nC @ 10 V
Vgs (máx.)	±20V
Capacitancia de entrada (Ciss) (máx.) a Vds	2340 pF @ 100 V
Característica de FET	-
Disipación de potencia (Máx.)	195.3W (Tc)
Temperatura de funcionamiento	-40°C ~ 150°C (TJ)
Grado	Uso automotriz
Calificación	AEC-Q101
Tipo de montaje	Montaje en superficie
Paquete del dispositivo del proveedor	PG-TO263-3
Paquete / Caja (carcasa)	TO-263-3, D2PAK (2 conductores + pestaña), TO-263AB
Número de producto base	IPB65R150

Precio unitario sin IVA:	4,34000 €
Precio unitario con IVA:	5,25140 €

IPB65R150CFDAATMA1