Name: IPB35N10S3L26ATMA1
Brand: Infineon Technologies
SKU: 448-IPB35N10S3L26ATMA1TR-ND
Price: 3.0008 EUR
Availability: InStock

IPB35N10S3L26ATMA1
N.º de producto de DigiKey	448-IPB35N10S3L26ATMA1TR-ND - Cinta y rollo (TR) 448-IPB35N10S3L26ATMA1CT-ND - Cinta cortada (CT) 448-IPB35N10S3L26ATMA1DKR-ND - Digi-Reel®
Fabricante	Infineon Technologies
Número de pieza del fabricante	IPB35N10S3L26ATMA1
Descripción	MOSFET N-CH 100V 35A D2PAK
Referencia del cliente
Descripción detallada	Canal N Montaje en superficie 100 V 35A (Tc) 71W (Tc) PG-TO263-3
Hoja de datos	Hoja de datos

Tipo	Descripción	Seleccionar todo
Categoría	Productos de semiconductores discretos Transistores FET, MOSFET FET simple, MOSFET
Fabricante	Infineon Technologies
Serie	OptiMOS™
Embalaje	Cinta y rollo (TR) Cinta cortada (CT) Digi-Reel®
Estado de pieza	No para diseños nuevos
Tipo FET	Canal N
Tecnología	MOSFET (óxido de metal)
Voltaje de drenaje a fuente (Vdss)	100 V
Corriente - consumo continuo (Id) a 25ºC	35A (Tc)
Voltaje de impulso (encendido Rds máx., encendido Rds mín.)	4.5V, 10V
Rds On (máx) @ Id, Vgs	26.3mOhm a 35A, 10V
Vgs(th) (máx) a Id	2.4V a 39µA
Carga de compuerta (Qg) (máx.) a Vgs	39 nC @ 10 V
Vgs (máx.)	±20V
Capacitancia de entrada (Ciss) (máx.) a Vds	2700 pF @ 25 V
Característica de FET	-
Disipación de potencia (Máx.)	71W (Tc)
Temperatura de funcionamiento	-55°C ~ 175°C (TJ)
Grado	Uso automotriz
Calificación	AEC-Q101
Tipo de montaje	Montaje en superficie
Paquete del dispositivo del proveedor	PG-TO263-3
Paquete / Caja (carcasa)	TO-263-3, D2PAK (2 conductores + pestaña), TO-263AB
Número de producto base	IPB35N10

Precio unitario sin IVA:	2,48000 €
Precio unitario con IVA:	3,00080 €

IPB35N10S3L26ATMA1