Name: IPB330P10NMATMA1
Brand: Infineon Technologies
SKU: 448-IPB330P10NMATMA1TR-ND
Price: 6.534 EUR
Availability: InStock

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IPB330P10NMATMA1
N.º de producto de DigiKey	448-IPB330P10NMATMA1TR-ND - Cinta y rollo (TR) 448-IPB330P10NMATMA1CT-ND - Cinta cortada (CT) 448-IPB330P10NMATMA1DKR-ND - Digi-Reel®
Fabricante	Infineon Technologies
Número de pieza del fabricante	IPB330P10NMATMA1
Descripción	TRENCH >=100V PG-TO263-3
Plazo estándar del fabricante	23 semanas
Referencia del cliente
Descripción detallada	Canal P Montaje en superficie 100 V 6.9H (Ta), 62H (Tc) 3.8W (Ta), 300W (Tc) PG-TO263-3
Hoja de datos	Hoja de datos
Modelos EDA/CAD	IPB330P10NMATMA1 Modelos

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Categoría Productos de semiconductores discretos Transistores FET, MOSFET FET simple, MOSFET	Vgs(th) (máx) a Id 4V a 5.55mA
Fabricante Infineon Technologies	Carga de compuerta (Qg) (máx.) a Vgs 236 nC @ 10 V
Serie OptiMOS™	Vgs (máx.) ±20V
Embalaje Cinta y rollo (TR) Cinta cortada (CT) Digi-Reel®	Capacitancia de entrada (Ciss) (máx.) a Vds 11000 pF @ 50 V
Estado de pieza Activo	Disipación de potencia (Máx.) 3.8W (Ta), 300W (Tc)
Tipo FET Canal P	Temperatura de funcionamiento -55°C ~ 175°C (TJ)
Tecnología MOSFET (óxido de metal)	Tipo de montaje Montaje en superficie
Voltaje de drenaje a fuente (Vdss) 100 V	Paquete del dispositivo del proveedor PG-TO263-3
Corriente - consumo continuo (Id) a 25ºC 6.9H (Ta), 62H (Tc)	Paquete / Caja (carcasa) TO-263-3, D2PAK (2 conductores + pestaña), TO-263AB
Voltaje de impulso (encendido Rds máx., encendido Rds mín.) 10V	Número de producto base IPB330P
Rds On (máx) @ Id, Vgs 33mOhm a 53A, 10V