Name: IPB180N06S4H1ATMA2
Brand: Infineon Technologies
SKU: 448-IPB180N06S4H1ATMA2TR-ND
Price: 4.8158 EUR
Availability: InStock

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IPB180N06S4H1ATMA2
N.º de producto de DigiKey	448-IPB180N06S4H1ATMA2TR-ND - Cinta y rollo (TR) 448-IPB180N06S4H1ATMA2CT-ND - Cinta cortada (CT) 448-IPB180N06S4H1ATMA2DKR-ND - Digi-Reel®
Fabricante	Infineon Technologies
Número de pieza del fabricante	IPB180N06S4H1ATMA2
Descripción	MOSFET N-CH 60V 180A TO263-7
Plazo estándar del fabricante	9 semanas
Referencia del cliente
Descripción detallada	Canal N Montaje en superficie 60 V 180A (Tc) 250W (Tc) PG-TO263-7
Hoja de datos	Hoja de datos
Modelos EDA/CAD	IPB180N06S4H1ATMA2 Modelos

Atributos del producto

Tipo	Descripción	Seleccionar todo
Categoría	Productos de semiconductores discretos Transistores FET, MOSFET FET simple, MOSFET
Fabricante	Infineon Technologies
Serie	OptiMOS™
Embalaje	Cinta y rollo (TR) Cinta cortada (CT) Digi-Reel®
Estado de pieza	Activo
Tipo FET	Canal N
Tecnología	MOSFET (óxido de metal)
Voltaje de drenaje a fuente (Vdss)	60 V
Corriente - consumo continuo (Id) a 25ºC	180A (Tc)
Voltaje de impulso (encendido Rds máx., encendido Rds mín.)	10V
Rds On (máx) @ Id, Vgs	1.7mOhm a 100A, 10V
Vgs(th) (máx) a Id	4V a 200µA
Carga de compuerta (Qg) (máx.) a Vgs	270 nC @ 10 V
Vgs (máx.)	±20V
Capacitancia de entrada (Ciss) (máx.) a Vds	21900 pF @ 25 V
Característica de FET	-
Disipación de potencia (Máx.)	250W (Tc)
Temperatura de funcionamiento	-55°C ~ 175°C (TJ)
Grado	Uso automotriz
Calificación	AEC-Q101
Tipo de montaje	Montaje en superficie
Paquete del dispositivo del proveedor	PG-TO263-7
Paquete / Caja (carcasa)	TO-263-7, D2PAK (6 conductores + pestaña)
Número de producto base	IPB180