Name: IPB110N20N3LFATMA1
Brand: Infineon Technologies
SKU: IPB110N20N3LFATMA1TR-ND
Price: 9.5711 EUR
Availability: OutOfStock

IPB110N20N3LFATMA1 está sin stock y se puede solicitar como pedido pendiente.

Reemplazos disponibles:

MFR recomendado

Infineon Technologies

En stock: 3.815

Precio por unidad : 6,43000 €

Foto demostrada es una representación solamente. Datos específicos deben se obtener de las hojas de datos del producto.

IPB110N20N3LFATMA1
N.º de producto de DigiKey	IPB110N20N3LFATMA1TR-ND - Cinta y rollo (TR) IPB110N20N3LFATMA1CT-ND - Cinta cortada (CT) IPB110N20N3LFATMA1DKR-ND - Digi-Reel®
Fabricante	Infineon Technologies
Número de pieza del fabricante	IPB110N20N3LFATMA1
Descripción	MOSFET N-CH 200V 88A TO263-3
Referencia del cliente
Descripción detallada	Canal N Montaje en superficie 200 V 88H (Tc) 250W (Tc) PG-TO263-3
Hoja de datos	Hoja de datos
Modelos EDA/CAD	IPB110N20N3LFATMA1 Modelos

Atributos del producto

Filtrar productos similares

Mostrar atributos vacíos

Categoría Productos de semiconductores discretos Transistores FET, MOSFET FET simple, MOSFET	Vgs(th) (máx) a Id 4.2V a 260µA
Fabricante Infineon Technologies	Carga de compuerta (Qg) (máx.) a Vgs 76 nC @ 10 V
Serie OptiMOS™ 3	Vgs (máx.) ±20V
Embalaje Cinta y rollo (TR) Cinta cortada (CT) Digi-Reel®	Capacitancia de entrada (Ciss) (máx.) a Vds 650 pF @ 100 V
Estado de pieza Última compra	Disipación de potencia (Máx.) 250W (Tc)
Tipo FET Canal N	Temperatura de funcionamiento -55°C ~ 150°C (TJ)
Tecnología MOSFET (óxido de metal)	Tipo de montaje Montaje en superficie
Voltaje de drenaje a fuente (Vdss) 200 V	Paquete del dispositivo del proveedor PG-TO263-3
Corriente - consumo continuo (Id) a 25ºC 88H (Tc)	Paquete / Caja (carcasa) TO-263-3, D2PAK (2 conductores + pestaña), TO-263AB
Voltaje de impulso (encendido Rds máx., encendido Rds mín.) 10V	Número de producto base IPB110
Rds On (máx) @ Id, Vgs 11mOhm a 88A, 10V