IPB049NE7N3GATMA1 Infineon Technologies | FET simple, MOSFET

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IPB049NE7N3GATMA1
N.º de producto de DigiKey	IPB049NE7N3GATMA1TR-ND - Cinta y rollo (TR) IPB049NE7N3GATMA1CT-ND - Cinta cortada (CT)
Fabricante	Infineon Technologies
Número de pieza del fabricante	IPB049NE7N3GATMA1
Descripción	MOSFET N-CH 75V 80A D2PAK
Referencia del cliente
Descripción detallada	Canal N Montaje en superficie 75 V 80A (Tc) 150W (Tc) PG-TO263-3
Hoja de datos	Hoja de datos
Modelos EDA/CAD	IPB049NE7N3GATMA1 Modelos

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Categoría Productos de semiconductores discretos Transistores FET, MOSFET FET simple, MOSFET	Vgs(th) (máx) a Id 3.8V a 91µA
Fabricante Infineon Technologies	Carga de compuerta (Qg) (máx.) a Vgs 68 nC @ 10 V
Serie OptiMOS™	Vgs (máx.) ±20V
Embalaje Cinta y rollo (TR) Cinta cortada (CT)	Capacitancia de entrada (Ciss) (máx.) a Vds 4750 pF @ 37.5 V
Estado de pieza Obsoleto	Disipación de potencia (Máx.) 150W (Tc)
Tipo FET Canal N	Temperatura de funcionamiento -55°C ~ 175°C (TJ)
Tecnología MOSFET (óxido de metal)	Tipo de montaje Montaje en superficie
Voltaje de drenaje a fuente (Vdss) 75 V	Paquete del dispositivo del proveedor PG-TO263-3
Corriente - consumo continuo (Id) a 25ºC 80A (Tc)	Paquete / Caja (carcasa) TO-263-3, D2PAK (2 conductores + pestaña), TO-263AB
Voltaje de impulso (encendido Rds máx., encendido Rds mín.) 10V	Número de producto base IPB049
Rds On (máx) @ Id, Vgs 4.9mOhm a 80A, 10V

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Documentos y medios

Clasificaciones medioambientales y de exportación

Recursos adicionales

Sustitutos (10)

N.° de pieza	Fabricante	Cantidad disponible	N.º de producto de DigiKey	Precio por unidad	Tipo de reemplazo
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