Name: IPB019N08NF2SATMA1
Brand: Infineon Technologies
SKU: 448-IPB019N08NF2SATMA1TR-ND
Price: 4.5133 EUR
Availability: InStock

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IPB019N08NF2SATMA1
N.º de producto de DigiKey	448-IPB019N08NF2SATMA1TR-ND - Cinta y rollo (TR) 448-IPB019N08NF2SATMA1CT-ND - Cinta cortada (CT) 448-IPB019N08NF2SATMA1DKR-ND - Digi-Reel®
Fabricante	Infineon Technologies
Número de pieza del fabricante	IPB019N08NF2SATMA1
Descripción	TRENCH 40<-<100V PG-TO263-3
Plazo estándar del fabricante	25 semanas
Referencia del cliente
Descripción detallada	Canal N Montaje en superficie 80 V 166H (Tc) 250W (Tc) PG-TO263-3
Hoja de datos	Hoja de datos
Modelos EDA/CAD	IPB019N08NF2SATMA1 Modelos

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Categoría Productos de semiconductores discretos Transistores FET, MOSFET FET simple, MOSFET	Vgs(th) (máx) a Id 3.8V a 194µA
Fabricante Infineon Technologies	Carga de compuerta (Qg) (máx.) a Vgs 186 nC @ 10 V
Serie StrongIRFET™ 2	Vgs (máx.) ±20V
Embalaje Cinta y rollo (TR) Cinta cortada (CT) Digi-Reel®	Capacitancia de entrada (Ciss) (máx.) a Vds 8700 pF @ 40 V
Estado de pieza Activo	Disipación de potencia (Máx.) 250W (Tc)
Tipo FET Canal N	Temperatura de funcionamiento -55°C ~ 175°C (TJ)
Tecnología MOSFET (óxido de metal)	Tipo de montaje Montaje en superficie
Voltaje de drenaje a fuente (Vdss) 80 V	Paquete del dispositivo del proveedor PG-TO263-3
Corriente - consumo continuo (Id) a 25ºC 166H (Tc)	Paquete / Caja (carcasa) TO-263-3, D2PAK (2 conductores + pestaña), TO-263AB
Voltaje de impulso (encendido Rds máx., encendido Rds mín.) 6V, 10V	Número de producto base IPB019N
Rds On (máx) @ Id, Vgs 1.95mOhm a 100A, 10V

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Documentos y medios

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Cinta cortada (CT) & Digi-Reel®

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Cinta y rollo (TR)

Paquete estándar del fabricante

Precio unitario sin IVA:	3,73000 €
Precio unitario con IVA:	4,51330 €

IPB019N08NF2SATMA1