IPB015N04NGATMA1 Infineon Technologies | FET simple, MOSFET

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IPB015N04NGATMA1
N.º de producto de DigiKey	IPB015N04NGATMA1TR-ND - Cinta y rollo (TR) IPB015N04NGATMA1CT-ND - Cinta cortada (CT) IPB015N04NGATMA1DKR-ND - Digi-Reel®
Fabricante	Infineon Technologies
Número de pieza del fabricante	IPB015N04NGATMA1
Descripción	MOSFET N-CH 40V 120A D2PAK
Referencia del cliente
Descripción detallada	Canal N Montaje en superficie 40 V 120H (Tc) 250W (Tc) PG-TO263-3
Hoja de datos	Hoja de datos
Modelos EDA/CAD	IPB015N04NGATMA1 Modelos

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Categoría Productos de semiconductores discretos Transistores FET, MOSFET FET simple, MOSFET	Vgs(th) (máx) a Id 4V a 200µA
Fabricante Infineon Technologies	Carga de compuerta (Qg) (máx.) a Vgs 250 nC @ 10 V
Serie OptiMOS™	Vgs (máx.) ±20V
Embalaje Cinta y rollo (TR) Cinta cortada (CT) Digi-Reel®	Capacitancia de entrada (Ciss) (máx.) a Vds 20000 pF @ 20 V
Estado de pieza Obsoleto	Disipación de potencia (Máx.) 250W (Tc)
Tipo FET Canal N	Temperatura de funcionamiento -55°C ~ 155°C (TJ)
Tecnología MOSFET (óxido de metal)	Tipo de montaje Montaje en superficie
Voltaje de drenaje a fuente (Vdss) 40 V	Paquete del dispositivo del proveedor PG-TO263-3
Corriente - consumo continuo (Id) a 25ºC 120H (Tc)	Paquete / Caja (carcasa) TO-263-3, D2PAK (2 conductores + pestaña), TO-263AB
Voltaje de impulso (encendido Rds máx., encendido Rds mín.) 10V	Número de producto base IPB015
Rds On (máx) @ Id, Vgs 1.5mOhm a 100A, 10V

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Documentos y medios

Clasificaciones medioambientales y de exportación

Recursos adicionales

Sustitutos (9)

N.° de pieza	Fabricante	Cantidad disponible	N.º de producto de DigiKey	Precio por unidad	Tipo de reemplazo
IPB014N04NF2SATMA1	Infineon Technologies	780	448-IPB014N04NF2SATMA1CT-ND	2,36000 €	MFR recomendado
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