IPA50R299CPXKSA1 Infineon Technologies | Productos de semiconductores discretos

IPA50R299CPXKSA1
N.º de producto de DigiKey	IPA50R299CPXKSA1-ND
Fabricante	Infineon Technologies
Número de pieza del fabricante	IPA50R299CPXKSA1
Descripción	MOSFET N-CH 550V 12A TO220-FP
Referencia del cliente
Descripción detallada	Canal N Orificio pasante 550 V 12A (Tc) 104W (Tc) PG-TO220-3-31
Hoja de datos	Hoja de datos

Tipo	Descripción	Seleccionar todo
Categoría	Productos de semiconductores discretos Transistores FET, MOSFET FET simple, MOSFET
Fabricante	Infineon Technologies
Serie	CoolMOS™
Embalaje	Tubo
Estado de pieza	Obsoleto
Tipo FET	Canal N
Tecnología	MOSFET (óxido de metal)
Voltaje de drenaje a fuente (Vdss)	550 V
Corriente - consumo continuo (Id) a 25ºC	12A (Tc)
Voltaje de impulso (encendido Rds máx., encendido Rds mín.)	10V
Rds On (máx) @ Id, Vgs	299mOhm a 6.6A, 10V
Vgs(th) (máx) a Id	3.5V a 440µA
Carga de compuerta (Qg) (máx.) a Vgs	31 nC @ 10 V
Vgs (máx.)	±20V
Capacitancia de entrada (Ciss) (máx.) a Vds	1190 pF @ 100 V
Característica de FET	-
Disipación de potencia (Máx.)	104W (Tc)
Temperatura de funcionamiento	-55°C ~ 150°C (TJ)
Grado	-
Calificación	-
Tipo de montaje	Orificio pasante
Paquete del dispositivo del proveedor	PG-TO220-3-31
Paquete / Caja (carcasa)	TO-220-3 paquete completo
Número de producto base	IPA50R