MOSFET - Arreglos 1200V (1.2kV) 57A (Tc) 290W (Tc) Montaje en superficie PG-HDSOP-16-221
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MOSFET - Arreglos 1200V (1.2kV) 57A (Tc) 290W (Tc) Montaje en superficie PG-HDSOP-16-221
CoolSiC™ G2 1200 V Silicon Carbide Discrete MOSFETs from Infineon PIO | DigiKey

IMSQ120R040M2HHXUMA1

N.º de producto de DigiKey
448-IMSQ120R040M2HHXUMA1TR-ND - Cinta y rollo (TR)
448-IMSQ120R040M2HHXUMA1CT-ND - Cinta cortada (CT)
448-IMSQ120R040M2HHXUMA1DKR-ND - Digi-Reel®
Fabricante
Infineon Technologies
Número de pieza del fabricante
IMSQ120R040M2HHXUMA1
Descripción
SICFET 2N-CH 1200V 57A HDSOP16
Plazo estándar del fabricante
39 semanas
Referencia del cliente
Descripción detallada
MOSFET - Arreglos 1200V (1.2kV) 57A (Tc) 290W (Tc) Montaje en superficie PG-HDSOP-16-221
Hoja de datos
 Hoja de datos
Atributos del producto
Tipo
Descripción
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Categoría
Fabricante
Infineon Technologies
Serie
CoolSiC™ G2
Embalaje
Cinta y rollo (TR)
Cinta cortada (CT)
Digi-Reel®
Estado de pieza
Activo
Tecnología
SiCFET (Carburo de silicio)
Configuración
2 canales N (medio puente)
Característica de FET
-
Voltaje de drenaje a fuente (Vdss)
1200V (1.2kV)
Corriente - consumo continuo (Id) a 25ºC
57A (Tc)
Rds On (máx) @ Id, Vgs
40mOhm a 18A, 18V
Vgs(th) (máx) a Id
5.1V a 5.5mA
Carga de compuerta (Qg) (máx.) a Vgs
36nC a 0V
Capacitancia de entrada (Ciss) (máx.) a Vds
1310pF a 800V
Potencia - Máx.
290W (Tc)
Temperatura de funcionamiento
-55°C ~ 175°C (TJ)
Grado
-
Calificación
-
Tipo de montaje
Montaje en superficie
Paquete / Caja (carcasa)
24-BSOP (0.606", 15.40mm de ancho), 16 conductores, placa descubierta
Paquete del dispositivo del proveedor
PG-HDSOP-16-221
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1010,78300 €107,83 €
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Cinta y rollo (TR)
Cantidad Precio por unidad Precio ext.
7507,37243 €5.529,32 €
Paquete estándar del fabricante
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