Name: IMSQ120R040M2HHXUMA1
Brand: Infineon Technologies
SKU: 448-IMSQ120R040M2HHXUMA1TR-ND
Price: 17.787 EUR
Availability: InStock

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IMSQ120R040M2HHXUMA1
N.º de producto de DigiKey	448-IMSQ120R040M2HHXUMA1TR-ND - Cinta y rollo (TR) 448-IMSQ120R040M2HHXUMA1CT-ND - Cinta cortada (CT) 448-IMSQ120R040M2HHXUMA1DKR-ND - Digi-Reel®
Fabricante	Infineon Technologies
Número de pieza del fabricante	IMSQ120R040M2HHXUMA1
Descripción	SICFET 2N-CH 1200V 57A HDSOP16
Plazo estándar del fabricante	26 semanas
Referencia del cliente
Descripción detallada	MOSFET - Arreglos 1200V (1.2kV) 57A (Tc) 290W (Tc) Montaje en superficie PG-HDSOP-16-221
Hoja de datos	Hoja de datos

Atributos del producto

Tipo	Descripción	Seleccionar todo
Categoría	Productos de semiconductores discretos Transistores FET, MOSFET Arreglos FET, MOSFET
Fabricante	Infineon Technologies
Serie	CoolSiC™ G2
Embalaje	Cinta y rollo (TR) Cinta cortada (CT) Digi-Reel®
Estado de pieza	Activo
Tecnología	SiCFET (Carburo de silicio)
Configuración	2 canales N (medio puente)
Característica de FET	-
Voltaje de drenaje a fuente (Vdss)	1200V (1.2kV)
Corriente - consumo continuo (Id) a 25ºC	57A (Tc)
Rds On (máx) @ Id, Vgs	40mOhm a 18A, 18V
Vgs(th) (máx) a Id	5.1V a 5.5mA
Carga de compuerta (Qg) (máx.) a Vgs	36nC a 0V
Capacitancia de entrada (Ciss) (máx.) a Vds	1310pF a 800V
Potencia - Máx.	290W (Tc)
Temperatura de funcionamiento	-55°C ~ 175°C (TJ)
Grado	-
Calificación	-
Tipo de montaje	Montaje en superficie
Paquete / Caja (carcasa)	24-BSOP (0.606", 15.40mm de ancho), 16 conductores, placa descubierta
Paquete del dispositivo del proveedor	PG-HDSOP-16-221