Name: IGLR70R200D2SXUMA1
Brand: Infineon Technologies
SKU: 448-IGLR70R200D2SXUMA1TR-ND
Price: 2.4684 EUR
Availability: InStock

IGLR70R200D2SXUMA1
N.º de producto de DigiKey	448-IGLR70R200D2SXUMA1TR-ND - Cinta y rollo (TR) 448-IGLR70R200D2SXUMA1CT-ND - Cinta cortada (CT) 448-IGLR70R200D2SXUMA1DKR-ND - Digi-Reel®
Fabricante	Infineon Technologies
Número de pieza del fabricante	IGLR70R200D2SXUMA1
Descripción	GANFET N-CH 700V 9.3A 8TDFN
Plazo estándar del fabricante	27 semanas
Referencia del cliente
Descripción detallada	Canal N Montaje en superficie 700 V 9.3A (Tc) 34W (Tc) PG-TSON-8-8
Hoja de datos	Hoja de datos
Modelos EDA/CAD	IGLR70R200D2SXUMA1 Modelos

Tipo	Descripción	Seleccionar todo
Categoría	Productos de semiconductores discretos Transistores FET, MOSFET FET simple, MOSFET
Fabricante	Infineon Technologies
Serie	CoolGaN™ G5
Embalaje	Cinta y rollo (TR) Cinta cortada (CT) Digi-Reel®
Estado de pieza	Activo
Tipo FET	Canal N
Tecnología	GaNFET (Nitrito de galio)
Voltaje de drenaje a fuente (Vdss)	700 V
Corriente - consumo continuo (Id) a 25ºC	9.3A (Tc)
Voltaje de impulso (encendido Rds máx., encendido Rds mín.)	-
Rds On (máx) @ Id, Vgs	240mOhm a 2.1A
Vgs(th) (máx) a Id	1.6V a 710µA
Carga de compuerta (Qg) (máx.) a Vgs	1.26 nC @ 3 V
Vgs (máx.)	-10V
Capacitancia de entrada (Ciss) (máx.) a Vds	91 pF @ 400 V
Característica de FET	-
Disipación de potencia (Máx.)	34W (Tc)
Temperatura de funcionamiento	-40°C ~ 150°C (TJ)
Grado	-
Calificación	-
Tipo de montaje	Montaje en superficie
Paquete del dispositivo del proveedor	PG-TSON-8-8
Paquete / Caja (carcasa)	8-PowerTDFN

Precio unitario sin IVA:	2,04000 €
Precio unitario con IVA:	2,46840 €

IGLR70R200D2SXUMA1