Name: IGLD65R080D2AUMA1
Brand: Infineon Technologies
SKU: 448-IGLD65R080D2AUMA1TR-ND
Price: 7.3568 EUR
Availability: InStock

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IGLD65R080D2AUMA1
N.º de producto de DigiKey	448-IGLD65R080D2AUMA1TR-ND - Cinta y rollo (TR) 448-IGLD65R080D2AUMA1CT-ND - Cinta cortada (CT) 448-IGLD65R080D2AUMA1DKR-ND - Digi-Reel®
Fabricante	Infineon Technologies
Número de pieza del fabricante	IGLD65R080D2AUMA1
Descripción	GANFET N-CH 650V 18A 8LDFN
Plazo estándar del fabricante	27 semanas
Referencia del cliente
Descripción detallada	Canal N Montaje en superficie 650 V 18H (Tc) 68W (Tc) PG-LSON-8-2
Hoja de datos	Hoja de datos
Modelos EDA/CAD	IGLD65R080D2AUMA1 Modelos

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Categoría Productos de semiconductores discretos Transistores FET, MOSFET FET simple, MOSFET	Vgs(th) (máx) a Id 1.6V a 1.8mA
Fabricante Infineon Technologies	Carga de compuerta (Qg) (máx.) a Vgs 3.3 nC @ 3 V
Serie CoolGaN™ G5	Vgs (máx.) -10V
Embalaje Cinta y rollo (TR) Cinta cortada (CT) Digi-Reel®	Capacitancia de entrada (Ciss) (máx.) a Vds 240 pF @ 400 V
Estado de pieza Activo	Disipación de potencia (Máx.) 68W (Tc)
Tipo FET Canal N	Temperatura de funcionamiento -55°C ~ 150°C (TJ)
Tecnología GaNFET (Nitrito de galio)	Tipo de montaje Montaje en superficie
Voltaje de drenaje a fuente (Vdss) 650 V	Paquete del dispositivo del proveedor PG-LSON-8-2
Corriente - consumo continuo (Id) a 25ºC 18H (Tc)	Paquete / Caja (carcasa) Placa descubierta 8-LDFN
Rds On (máx) @ Id, Vgs 100mOhm a 5.5A