Name: IAUZ40N08S5N100ATMA1
Brand: Infineon Technologies
SKU: 448-IAUZ40N08S5N100ATMA1TR-ND
Price: 2.1417 EUR
Availability: InStock

Canal N Montaje en superficie 80 V 40H (Tc) 68W (Tc) PG-TDSON-8

Foto demostrada es una representación solamente. Datos específicos deben se obtener de las hojas de datos del producto.

IAUZ40N08S5N100ATMA1
N.º de producto de DigiKey	448-IAUZ40N08S5N100ATMA1TR-ND - Cinta y rollo (TR) 448-IAUZ40N08S5N100ATMA1CT-ND - Cinta cortada (CT) 448-IAUZ40N08S5N100ATMA1DKR-ND - Digi-Reel®
Fabricante	Infineon Technologies
Número de pieza del fabricante	IAUZ40N08S5N100ATMA1
Descripción	MOSFET N-CH 75V 80A 8TSDSON
Plazo estándar del fabricante	35 semanas
Referencia del cliente
Descripción detallada	Canal N Montaje en superficie 80 V 40H (Tc) 68W (Tc) PG-TDSON-8
Hoja de datos	Hoja de datos
Modelos EDA/CAD	IAUZ40N08S5N100ATMA1 Modelos

Atributos del producto

Filtrar productos similares

Mostrar atributos vacíos

Categoría Productos de semiconductores discretos Transistores FET, MOSFET FET simple, MOSFET	Vgs(th) (máx) a Id 3.8V a 27µA
Fabricante Infineon Technologies	Carga de compuerta (Qg) (máx.) a Vgs 24.2 nC @ 10 V
Serie OptiMOS™ 5	Vgs (máx.) ±20V
Embalaje Cinta y rollo (TR) Cinta cortada (CT) Digi-Reel®	Capacitancia de entrada (Ciss) (máx.) a Vds 1591 pF @ 40 V
Estado de pieza Activo	Disipación de potencia (Máx.) 68W (Tc)
Tipo FET Canal N	Temperatura de funcionamiento -55°C ~ 175°C (TJ)
Tecnología MOSFET (óxido de metal)	Grado Uso automotriz
Voltaje de drenaje a fuente (Vdss) 80 V	Calificación AEC-Q101
Corriente - consumo continuo (Id) a 25ºC 40H (Tc)	Tipo de montaje Montaje en superficie
Voltaje de impulso (encendido Rds máx., encendido Rds mín.) 6V, 10V	Paquete del dispositivo del proveedor PG-TDSON-8
Rds On (máx) @ Id, Vgs 10mOhm a 20A, 10V	Paquete / Caja (carcasa) 8-PowerTDFN