Name: IAUTN12S5N017ATMA1
Brand: Infineon Technologies
SKU: 448-IAUTN12S5N017ATMA1TR-ND
Price: 7.4052 EUR
Availability: InStock

Foto demostrada es una representación solamente. Datos específicos deben se obtener de las hojas de datos del producto.

IAUTN12S5N017ATMA1
N.º de producto de DigiKey	448-IAUTN12S5N017ATMA1TR-ND - Cinta y rollo (TR) 448-IAUTN12S5N017ATMA1CT-ND - Cinta cortada (CT) 448-IAUTN12S5N017ATMA1DKR-ND - Digi-Reel®
Fabricante	Infineon Technologies
Número de pieza del fabricante	IAUTN12S5N017ATMA1
Descripción	MOSFET_(120V 300V)
Plazo estándar del fabricante	18 semanas
Referencia del cliente
Descripción detallada	Canal N Montaje en superficie 120 V PG-HSOF-8-1
Hoja de datos	Hoja de datos
Modelos EDA/CAD	IAUTN12S5N017ATMA1 Modelos

Atributos del producto

Tipo	Descripción	Seleccionar todo
Categoría	Productos de semiconductores discretos Transistores FET, MOSFET FET simple, MOSFET
Fabricante	Infineon Technologies
Serie	OptiMOS™ 5
Embalaje	Cinta y rollo (TR) Cinta cortada (CT) Digi-Reel®
Estado de pieza	Activo
Tipo FET	Canal N
Tecnología	MOSFET (óxido de metal)
Voltaje de drenaje a fuente (Vdss)	120 V
Corriente - consumo continuo (Id) a 25ºC	-
Voltaje de impulso (encendido Rds máx., encendido Rds mín.)	-
Rds On (máx) @ Id, Vgs	-
Vgs(th) (máx) a Id	-
Vgs (máx.)	-
Característica de FET	-
Disipación de potencia (Máx.)	-
Temperatura de funcionamiento	-55°C ~ 175°C
Grado	Uso automotriz
Calificación	AEC-Q101
Tipo de montaje	Montaje en superficie
Paquete del dispositivo del proveedor	PG-HSOF-8-1
Paquete / Caja (carcasa)	8-PowerSFN