Name: IAUTN06S5N008GATMA1
Brand: Infineon Technologies
SKU: 448-IAUTN06S5N008GATMA1TR-ND
Price: 8.7241 EUR
Availability: InStock

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IAUTN06S5N008GATMA1
N.º de producto de DigiKey	448-IAUTN06S5N008GATMA1TR-ND - Cinta y rollo (TR) 448-IAUTN06S5N008GATMA1CT-ND - Cinta cortada (CT) 448-IAUTN06S5N008GATMA1DKR-ND - Digi-Reel®
Fabricante	Infineon Technologies
Número de pieza del fabricante	IAUTN06S5N008GATMA1
Descripción	MOSFET_)40V 60V)
Plazo estándar del fabricante	27 semanas
Referencia del cliente
Descripción detallada	Canal N Montaje en superficie 60 V 59H (Ta), 350H (Tj) 358W (Tc) PG-HSOG-8-1
Hoja de datos	Hoja de datos

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Categoría Productos de semiconductores discretos Transistores FET, MOSFET FET simple, MOSFET	Vgs(th) (máx) a Id 3V a 275µA
Fabricante Infineon Technologies	Carga de compuerta (Qg) (máx.) a Vgs 273 nC @ 10 V
Serie OptiMOS™ 5	Vgs (máx.) ±20V
Embalaje Cinta y rollo (TR) Cinta cortada (CT) Digi-Reel®	Capacitancia de entrada (Ciss) (máx.) a Vds 20280 pF @ 30 V
Estado de pieza Activo	Disipación de potencia (Máx.) 358W (Tc)
Tipo FET Canal N	Temperatura de funcionamiento -55°C ~ 175°C (TJ)
Tecnología MOSFET (óxido de metal)	Grado Uso automotriz
Voltaje de drenaje a fuente (Vdss) 60 V	Calificación AEC-Q101
Corriente - consumo continuo (Id) a 25ºC 59H (Ta), 350H (Tj)	Tipo de montaje Montaje en superficie
Voltaje de impulso (encendido Rds máx., encendido Rds mín.) 7V, 10V	Paquete del dispositivo del proveedor PG-HSOG-8-1
Rds On (máx) @ Id, Vgs 0.78mOhm a 100A, 10V	Paquete / Caja (carcasa) 8-PowerSMD, Ala de gaviota