Name: IAUT200N08S5N023ATMA1
Brand: Infineon Technologies
SKU: IAUT200N08S5N023ATMA1TR-ND
Price: 5.1667 EUR
Availability: InStock

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IAUT200N08S5N023ATMA1
N.º de producto de DigiKey	IAUT200N08S5N023ATMA1TR-ND - Cinta y rollo (TR) IAUT200N08S5N023ATMA1CT-ND - Cinta cortada (CT) IAUT200N08S5N023ATMA1DKR-ND - Digi-Reel®
Fabricante	Infineon Technologies
Número de pieza del fabricante	IAUT200N08S5N023ATMA1
Descripción	MOSFET N-CH 80V 200A 8HSOF
Plazo estándar del fabricante	27 semanas
Referencia del cliente
Descripción detallada	Canal N Montaje en superficie 80 V 200H (Tc) 200W (Tc) PG-HSOF-8-1
Hoja de datos	Hoja de datos
Modelos EDA/CAD	IAUT200N08S5N023ATMA1 Modelos

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Categoría Productos de semiconductores discretos Transistores FET, MOSFET FET simple, MOSFET	Carga de compuerta (Qg) (máx.) a Vgs 110 nC @ 10 V
Fabricante Infineon Technologies	Vgs (máx.) ±20V
Serie OptiMOS™ 5	Capacitancia de entrada (Ciss) (máx.) a Vds 7670 pF @ 40 V
Embalaje Cinta y rollo (TR) Cinta cortada (CT) Digi-Reel®	Disipación de potencia (Máx.) 200W (Tc)
Estado de pieza Activo	Temperatura de funcionamiento -55°C ~ 175°C (TJ)
Tipo FET Canal N	Grado Uso automotriz
Tecnología MOSFET (óxido de metal)	Calificación AEC-Q101
Voltaje de drenaje a fuente (Vdss) 80 V	Tipo de montaje Montaje en superficie
Corriente - consumo continuo (Id) a 25ºC 200H (Tc)	Paquete del dispositivo del proveedor PG-HSOF-8-1
Voltaje de impulso (encendido Rds máx., encendido Rds mín.) 6V, 10V	Paquete / Caja (carcasa) 8-PowerSFN
Rds On (máx) @ Id, Vgs 2.3mOhm a 100A, 10V	Número de producto base IAUT200
Vgs(th) (máx) a Id 3.8V a 130µA