Name: IAUS165N08S5N029ATMA1
Brand: Infineon Technologies
SKU: IAUS165N08S5N029ATMA1TR-ND
Price: 4.5133 EUR
Availability: InStock

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IAUS165N08S5N029ATMA1
N.º de producto de DigiKey	IAUS165N08S5N029ATMA1TR-ND - Cinta y rollo (TR) IAUS165N08S5N029ATMA1CT-ND - Cinta cortada (CT) IAUS165N08S5N029ATMA1DKR-ND - Digi-Reel®
Fabricante	Infineon Technologies
Número de pieza del fabricante	IAUS165N08S5N029ATMA1
Descripción	MOSFET N-CH 80V 165A HSOG-8
Plazo estándar del fabricante	27 semanas
Referencia del cliente
Descripción detallada	Canal N Montaje en superficie 80 V 165A (Tc) 167W (Tc) PG-HSOG-8-1
Hoja de datos	Hoja de datos
Modelos EDA/CAD	IAUS165N08S5N029ATMA1 Modelos

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Categoría Productos de semiconductores discretos Transistores FET, MOSFET FET simple, MOSFET	Carga de compuerta (Qg) (máx.) a Vgs 90 nC @ 10 V
Fabricante Infineon Technologies	Vgs (máx.) ±20V
Serie OptiMOS™	Capacitancia de entrada (Ciss) (máx.) a Vds 6370 pF @ 40 V
Embalaje Cinta y rollo (TR) Cinta cortada (CT) Digi-Reel®	Disipación de potencia (Máx.) 167W (Tc)
Estado de pieza Activo	Temperatura de funcionamiento -55°C ~ 175°C (TJ)
Tipo FET Canal N	Grado Uso automotriz
Tecnología MOSFET (óxido de metal)	Calificación AEC-Q101
Voltaje de drenaje a fuente (Vdss) 80 V	Tipo de montaje Montaje en superficie
Corriente - consumo continuo (Id) a 25ºC 165A (Tc)	Paquete del dispositivo del proveedor PG-HSOG-8-1
Voltaje de impulso (encendido Rds máx., encendido Rds mín.) 6V, 10V	Paquete / Caja (carcasa) 8-PowerSMD, Ala de gaviota
Rds On (máx) @ Id, Vgs 2.9mOhm a 80A, 10V	Número de producto base IAUS165
Vgs(th) (máx) a Id 3.8V a 108µA