Name: IAUCN04S7L023HATMA1
Brand: Infineon Technologies
SKU: 448-IAUCN04S7L023HATMA1TR-ND
Price: 2.3716 EUR
Availability: InStock

Nuevo producto

Foto demostrada es una representación solamente. Datos específicos deben se obtener de las hojas de datos del producto.

IAUCN04S7L023HATMA1
N.º de producto de DigiKey	448-IAUCN04S7L023HATMA1TR-ND - Cinta y rollo (TR) 448-IAUCN04S7L023HATMA1CT-ND - Cinta cortada (CT) 448-IAUCN04S7L023HATMA1DKR-ND - Digi-Reel®
Fabricante	Infineon Technologies
Número de pieza del fabricante	IAUCN04S7L023HATMA1
Descripción	MOSFET_(20V 40V)
Plazo estándar del fabricante	26 semanas
Referencia del cliente
Descripción detallada	MOSFET - Arreglos 40V 100 A (Tj) 75W (Tc) Montaje en superficie PG-TDSON-8-56
Hoja de datos	Hoja de datos

Atributos del producto

Tipo	Descripción	Seleccionar todo
Categoría	Productos de semiconductores discretos Transistores FET, MOSFET Arreglos FET, MOSFET
Fabricante	Infineon Technologies
Serie	OptiMOS™ 7
Embalaje	Cinta y rollo (TR) Cinta cortada (CT) Digi-Reel®
Estado de pieza	Activo
Tecnología	MOSFET (óxido de metal)
Configuración	2 canales N
Característica de FET	Compuerta de nivel lógico
Voltaje de drenaje a fuente (Vdss)	40V
Corriente - consumo continuo (Id) a 25ºC	100 A (Tj)
Rds On (máx) @ Id, Vgs	2.34mOhm a 50A, 10V
Vgs(th) (máx) a Id	1.8V a 25µA
Carga de compuerta (Qg) (máx.) a Vgs	38nC a 10V
Capacitancia de entrada (Ciss) (máx.) a Vds	2518pF a 20V
Potencia - Máx.	75W (Tc)
Temperatura de funcionamiento	-55°C ~ 175°C (TJ)
Grado	Uso automotriz
Calificación	AEC-Q101
Tipo de montaje	Montaje en superficie
Paquete / Caja (carcasa)	8-PowerVDFN
Paquete del dispositivo del proveedor	PG-TDSON-8-56

Preguntas y respuestas sobre el producto

Vea lo que preguntan los ingenieros, haga sus propias preguntas o ayude a un miembro de la comunidad de ingenieros de DigiKey

En stock: 985

Comprobar si hay stock entrante adicional

Cantidad

Todos los precios se expresan en EUR

Cinta cortada (CT) & Digi-Reel®