Name: IAUC80N04S6N036ATMA1
Brand: Infineon Technologies
SKU: 448-IAUC80N04S6N036ATMA1TR-ND
Price: 1.5125 EUR
Availability: InStock

Canal N Montaje en superficie 40 V 80H (Tc) 50W (Tc) PG-TDSON-8

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IAUC80N04S6N036ATMA1
N.º de producto de DigiKey	448-IAUC80N04S6N036ATMA1TR-ND - Cinta y rollo (TR) 448-IAUC80N04S6N036ATMA1CT-ND - Cinta cortada (CT) 448-IAUC80N04S6N036ATMA1DKR-ND - Digi-Reel®
Fabricante	Infineon Technologies
Número de pieza del fabricante	IAUC80N04S6N036ATMA1
Descripción	MOSFET N-CH 40V 80A 8TDFN
Plazo estándar del fabricante	35 semanas
Referencia del cliente
Descripción detallada	Canal N Montaje en superficie 40 V 80H (Tc) 50W (Tc) PG-TDSON-8
Hoja de datos	Hoja de datos
Modelos EDA/CAD	IAUC80N04S6N036ATMA1 Modelos

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Categoría Productos de semiconductores discretos Transistores FET, MOSFET FET simple, MOSFET	Carga de compuerta (Qg) (máx.) a Vgs 22 nC @ 10 V
Fabricante Infineon Technologies	Vgs (máx.) ±20V
Serie OptiMOS™ 6	Capacitancia de entrada (Ciss) (máx.) a Vds 1338 pF @ 25 V
Embalaje Cinta y rollo (TR) Cinta cortada (CT) Digi-Reel®	Disipación de potencia (Máx.) 50W (Tc)
Estado de pieza Activo	Temperatura de funcionamiento -55°C ~ 175°C (TJ)
Tipo FET Canal N	Grado Uso automotriz
Tecnología MOSFET (óxido de metal)	Calificación AEC-Q101
Voltaje de drenaje a fuente (Vdss) 40 V	Tipo de montaje Montaje en superficie
Corriente - consumo continuo (Id) a 25ºC 80H (Tc)	Paquete del dispositivo del proveedor PG-TDSON-8
Voltaje de impulso (encendido Rds máx., encendido Rds mín.) 7V, 10V	Paquete / Caja (carcasa) 8-PowerTDFN
Rds On (máx) @ Id, Vgs 3.68mOhm a 40A, 10V	Número de producto base IAUC80
Vgs(th) (máx) a Id 3V a 18µA