Name: IAUC45N04S6L063HATMA1
Brand: Infineon Technologies
SKU: 448-IAUC45N04S6L063HATMA1TR-ND
Price: 1.1132 EUR
Availability: OutOfStock

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IAUC45N04S6L063HATMA1
N.º de producto de DigiKey	448-IAUC45N04S6L063HATMA1TR-ND - Cinta y rollo (TR) 448-IAUC45N04S6L063HATMA1CT-ND - Cinta cortada (CT) 448-IAUC45N04S6L063HATMA1DKR-ND - Digi-Reel®
Fabricante	Infineon Technologies
Número de pieza del fabricante	IAUC45N04S6L063HATMA1
Descripción	MOSFET 2N-CH 40V 45A 8TDSON
Plazo estándar del fabricante	18 semanas
Referencia del cliente
Descripción detallada	MOSFET - Arreglos 40V 45A (Tj) 41W (Tc) Montaje en superficie PG-TDSON-8-57
Hoja de datos	Hoja de datos
Modelos EDA/CAD	IAUC45N04S6L063HATMA1 Modelos

Atributos del producto

Tipo	Descripción	Seleccionar todo
Categoría	Productos de semiconductores discretos Transistores FET, MOSFET Arreglos FET, MOSFET
Fabricante	Infineon Technologies
Serie	OptiMOS™
Embalaje	Cinta y rollo (TR) Cinta cortada (CT) Digi-Reel®
Estado de pieza	Activo
Tecnología	MOSFET (óxido de metal)
Configuración	2 canales N (medio puente)
Característica de FET	Compuerta de nivel lógico
Voltaje de drenaje a fuente (Vdss)	40V
Corriente - consumo continuo (Id) a 25ºC	45A (Tj)
Rds On (máx) @ Id, Vgs	6.3mOhm a 22A, 10V
Vgs(th) (máx) a Id	2V a 9µA
Carga de compuerta (Qg) (máx.) a Vgs	13nC a 10V
Capacitancia de entrada (Ciss) (máx.) a Vds	775pF a 25V
Potencia - Máx.	41W (Tc)
Temperatura de funcionamiento	-55°C ~ 175°C (TJ)
Grado	Uso automotriz
Calificación	AEC-Q101
Tipo de montaje	Montaje en superficie
Paquete / Caja (carcasa)	8-PowerVDFN
Paquete del dispositivo del proveedor	PG-TDSON-8-57
Número de producto base	IAUC45