Name: IAUC41N06S5N102ATMA1
Brand: Infineon Technologies
SKU: 448-IAUC41N06S5N102ATMA1TR-ND
Price: 1.4762 EUR
Availability: InStock

Canal N Montaje en superficie 60 V 47A (Tj) 42W (Tc) PG-TDSON-8-33

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IAUC41N06S5N102ATMA1
N.º de producto de DigiKey	448-IAUC41N06S5N102ATMA1TR-ND - Cinta y rollo (TR) 448-IAUC41N06S5N102ATMA1CT-ND - Cinta cortada (CT)
Fabricante	Infineon Technologies
Número de pieza del fabricante	IAUC41N06S5N102ATMA1
Descripción	MOSFET_)40V 60V) PG-TDSON-8
Plazo estándar del fabricante	35 semanas
Referencia del cliente
Descripción detallada	Canal N Montaje en superficie 60 V 47A (Tj) 42W (Tc) PG-TDSON-8-33
Hoja de datos	Hoja de datos
Modelos EDA/CAD	IAUC41N06S5N102ATMA1 Modelos

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Categoría Productos de semiconductores discretos Transistores FET, MOSFET FET simple, MOSFET	Vgs(th) (máx) a Id 3.4V a 13µA
Fabricante Infineon Technologies	Carga de compuerta (Qg) (máx.) a Vgs 16.3 nC @ 10 V
Serie OptiMOS™ 5	Vgs (máx.) ±20V
Embalaje Cinta y rollo (TR) Cinta cortada (CT)	Capacitancia de entrada (Ciss) (máx.) a Vds 1112.1 pF @ 30 V
Estado de pieza Activo	Disipación de potencia (Máx.) 42W (Tc)
Tipo FET Canal N	Temperatura de funcionamiento -55°C ~ 175°C (TJ)
Tecnología MOSFET (óxido de metal)	Grado Uso automotriz
Voltaje de drenaje a fuente (Vdss) 60 V	Calificación AEC-Q101
Corriente - consumo continuo (Id) a 25ºC 47A (Tj)	Tipo de montaje Montaje en superficie
Voltaje de impulso (encendido Rds máx., encendido Rds mín.) 7V, 10V	Paquete del dispositivo del proveedor PG-TDSON-8-33
Rds On (máx) @ Id, Vgs 10.2mOhm a 20A, 10V	Paquete / Caja (carcasa) 8-PowerTDFN