Name: IAUA200N04S5N010AUMA1
Brand: Infineon Technologies
SKU: IAUA200N04S5N010AUMA1TR-ND
Price: 3.3517 EUR
Availability: InStock

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IAUA200N04S5N010AUMA1
N.º de producto de DigiKey	IAUA200N04S5N010AUMA1TR-ND - Cinta y rollo (TR) IAUA200N04S5N010AUMA1CT-ND - Cinta cortada (CT) IAUA200N04S5N010AUMA1DKR-ND - Digi-Reel®
Fabricante	Infineon Technologies
Número de pieza del fabricante	IAUA200N04S5N010AUMA1
Descripción	MOSFET N-CH 40V 200A 5HSOF
Plazo estándar del fabricante	18 semanas
Referencia del cliente
Descripción detallada	Canal N Montaje en superficie 40 V 200A (Tc) 167W (Tc) PG-HSOF-5-1
Hoja de datos	Hoja de datos
Modelos EDA/CAD	IAUA200N04S5N010AUMA1 Modelos

Atributos del producto

Tipo	Descripción	Seleccionar todo
Categoría	Productos de semiconductores discretos Transistores FET, MOSFET FET simple, MOSFET
Fabricante	Infineon Technologies
Serie	OptiMOS™ 5
Embalaje	Cinta y rollo (TR) Cinta cortada (CT) Digi-Reel®
Estado de pieza	Activo
Tipo FET	Canal N
Tecnología	MOSFET (óxido de metal)
Voltaje de drenaje a fuente (Vdss)	40 V
Corriente - consumo continuo (Id) a 25ºC	200A (Tc)
Voltaje de impulso (encendido Rds máx., encendido Rds mín.)	7V, 10V
Rds On (máx) @ Id, Vgs	1mOhm a 100A, 10V
Vgs(th) (máx) a Id	3.4V a 100µA
Carga de compuerta (Qg) (máx.) a Vgs	132 nC @ 10 V
Vgs (máx.)	±20V
Capacitancia de entrada (Ciss) (máx.) a Vds	7650 pF @ 25 V
Característica de FET	-
Disipación de potencia (Máx.)	167W (Tc)
Temperatura de funcionamiento	-55°C ~ 175°C (TJ)
Grado	Uso automotriz
Calificación	AEC-Q101
Tipo de montaje	Montaje en superficie
Paquete del dispositivo del proveedor	PG-HSOF-5-1
Paquete / Caja (carcasa)	5-PowerSFN
Número de producto base	IAUA200