Name: GS0650116LMRXUSA1
Brand: Infineon Technologies
SKU: 448-GS-065-011-6-L-MRTR-ND
Price: 5.1546 EUR
Availability: OutOfStock

GS0650116LMRXUSA1 está disponible para la compra, pero no está normalmente en stock.

Reemplazos disponibles:

MFR recomendado

Infineon Technologies

En stock: 4.881

Precio por unidad : 2,50000 €

Foto demostrada es una representación solamente. Datos específicos deben se obtener de las hojas de datos del producto.

GS0650116LMRXUSA1
N.º de producto de DigiKey	448-GS-065-011-6-L-MRTR-ND - Cinta y rollo (TR) 448-GS-065-011-6-L-MRCT-ND - Cinta cortada (CT) 448-GS-065-011-6-L-MRDKR-ND - Digi-Reel®
Fabricante	Infineon Technologies
Número de pieza del fabricante	GS0650116LMRXUSA1
Descripción	GS-065-011-6-L-MR
Referencia del cliente
Descripción detallada	Canal N Montaje en superficie 700 V 12.2A (Tc) 8-PDFN (5x6)
Hoja de datos	Hoja de datos

Atributos del producto

Tipo	Descripción	Seleccionar todo
Categoría	Productos de semiconductores discretos Transistores FET, MOSFET FET simple, MOSFET
Fabricante	Infineon Technologies
Serie	-
Embalaje	Cinta y rollo (TR) Cinta cortada (CT) Digi-Reel®
Estado de pieza	Última compra
Tipo FET	Canal N
Tecnología	GaNFET (Nitrito de galio)
Voltaje de drenaje a fuente (Vdss)	700 V
Corriente - consumo continuo (Id) a 25ºC	12.2A (Tc)
Voltaje de impulso (encendido Rds máx., encendido Rds mín.)	6V
Rds On (máx) @ Id, Vgs	180mOhm a 3.2A, 6V
Vgs(th) (máx) a Id	2.6V a 2.4mA
Carga de compuerta (Qg) (máx.) a Vgs	2.2 nC @ 6 V
Vgs (máx.)	+7V, -10V
Capacitancia de entrada (Ciss) (máx.) a Vds	70 pF @ 400 V
Característica de FET	-
Disipación de potencia (Máx.)	-
Temperatura de funcionamiento	-55°C ~ 150°C (TJ)
Grado	-
Calificación	-
Tipo de montaje	Montaje en superficie
Paquete del dispositivo del proveedor	8-PDFN (5x6)
Paquete / Caja (carcasa)	8-PowerVDFN