FS45MR12W1M1B11BOMA1 Infineon Technologies | Productos de semiconductores discretos

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FS45MR12W1M1B11BOMA1
N.º de producto de DigiKey	FS45MR12W1M1B11BOMA1-ND
Fabricante	Infineon Technologies
Número de pieza del fabricante	FS45MR12W1M1B11BOMA1
Descripción	MOSFET 6N-CH 1200V AG-EASY1BM-2
Referencia del cliente
Descripción detallada	MOSFET - Arreglos 1200V (1.2kV) 25A (Tj) Montaje de chasis AG-EASY1BM-2
Hoja de datos	Hoja de datos

Atributos del producto

Tipo	Descripción	Seleccionar todo
Categoría	Productos de semiconductores discretos Transistores FET, MOSFET Arreglos FET, MOSFET
Fabricante	Infineon Technologies
Serie	CoolSiC™+
Embalaje	Bandeja
Estado de pieza	Obsoleto
Tecnología	Carburo de silicio (SiC)
Configuración	6 canales N (puente trifásico)
Característica de FET	-
Voltaje de drenaje a fuente (Vdss)	1200V (1.2kV)
Corriente - consumo continuo (Id) a 25ºC	25A (Tj)
Rds On (máx) @ Id, Vgs	45mOhm a 25A, 15V (típico)
Vgs(th) (máx) a Id	5.55V a 10mA
Carga de compuerta (Qg) (máx.) a Vgs	62nC a 15V
Capacitancia de entrada (Ciss) (máx.) a Vds	1840pF a 800V
Potencia - Máx.	-
Temperatura de funcionamiento	-40°C ~ 150°C (TJ)
Tipo de montaje	Montaje de chasis
Paquete / Caja (carcasa)	Módulo
Paquete del dispositivo del proveedor	AG-EASY1BM-2
Número de producto base	FS45MR12

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Cantidad	Precio por unidad	Precio ext.
1	118,99000 €	118,99 €
24	104,48625 €	2.507,67 €

Paquete estándar del fabricante

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