
FF6MR20W2M1HB70BPSA1 | |
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N.º de producto de DigiKey | 448-FF6MR20W2M1HB70BPSA1-ND |
Fabricante | |
Número de pieza del fabricante | FF6MR20W2M1HB70BPSA1 |
Descripción | FF6MR20W2M1HB70BPSA1 |
Plazo estándar del fabricante | 10 semanas |
Referencia del cliente | |
Descripción detallada | MOSFET - Arreglos 2000V (2kV) 160A (Tj) Montaje de chasis |
Hoja de datos | Hoja de datos |
Modelos EDA/CAD | FF6MR20W2M1HB70BPSA1 Modelos |
Tipo | Descripción | Seleccionar todo |
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Categoría | ||
Fabricante | Infineon Technologies | |
Serie | ||
Embalaje | Bandeja | |
Estado de pieza | Activo | |
Tecnología | Carburo de silicio (SiC) | |
Configuración | 2 canales N (medio puente) | |
Característica de FET | - | |
Voltaje de drenaje a fuente (Vdss) | 2000V (2kV) | |
Corriente - consumo continuo (Id) a 25ºC | 160A (Tj) | |
Rds On (máx) @ Id, Vgs | 8.1mOhm a 160A, 18V | |
Vgs(th) (máx) a Id | 5.15V a 112mA | |
Carga de compuerta (Qg) (máx.) a Vgs | 780nC a 3V | |
Capacitancia de entrada (Ciss) (máx.) a Vds | 24100pF a 1.2kV | |
Potencia - Máx. | - | |
Temperatura de funcionamiento | -40°C ~ 175°C (TJ) | |
Grado | - | |
Calificación | - | |
Tipo de montaje | Montaje de chasis | |
Paquete / Caja (carcasa) | Módulo | |
Paquete del dispositivo del proveedor | - |
Cantidad | Precio por unidad | Precio ext. |
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1 | 187,02000 € | 187,02 € |
15 | 177,57533 € | 2.663,63 € |
Precio unitario sin IVA: | 187,02000 € |
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Precio unitario con IVA: | 226,29420 € |