Name: FF4MR12W2M1HB11BPSA1
Brand: Infineon Technologies
SKU: 448-FF4MR12W2M1HB11BPSA1-ND
Price: 192.9466 EUR
Availability: InStock

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FF4MR12W2M1HB11BPSA1
N.º de producto de DigiKey	448-FF4MR12W2M1HB11BPSA1-ND
Fabricante	Infineon Technologies
Número de pieza del fabricante	FF4MR12W2M1HB11BPSA1
Descripción	MOSFET 2N-CH 1200V 170A MODULE
Plazo estándar del fabricante	10 semanas
Referencia del cliente
Descripción detallada	MOSFET - Arreglos 1200V (1.2kV) 170A (Tj) Montaje de chasis Módulo
Hoja de datos	Hoja de datos
Modelos EDA/CAD	FF4MR12W2M1HB11BPSA1 Modelos

Atributos del producto

Tipo	Descripción	Seleccionar todo
Categoría	Productos de semiconductores discretos Transistores FET, MOSFET Arreglos FET, MOSFET
Fabricante	Infineon Technologies
Serie	CoolSiC™
Embalaje	Bandeja
Estado de pieza	Activo
Tecnología	Carburo de silicio (SiC)
Configuración	2 canales N (medio puente)
Característica de FET	-
Voltaje de drenaje a fuente (Vdss)	1200V (1.2kV)
Corriente - consumo continuo (Id) a 25ºC	170A (Tj)
Rds On (máx) @ Id, Vgs	4mOhm a 200A, 18V
Vgs(th) (máx) a Id	5.15V a 80mA
Carga de compuerta (Qg) (máx.) a Vgs	594nC a 18V
Capacitancia de entrada (Ciss) (máx.) a Vds	17600pF a 800V
Potencia - Máx.	-
Temperatura de funcionamiento	-40°C ~ 175°C (TJ)
Tipo de montaje	Montaje de chasis
Paquete / Caja (carcasa)	Módulo
Paquete del dispositivo del proveedor	Módulo
Número de producto base	FF4MR12

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1	159,46000 €	159,46 €
15	147,34733 €	2.210,21 €

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