FF2MR12KM1HOSA1 Infineon Technologies | Productos de semiconductores discretos

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FF2MR12KM1HOSA1
N.º de producto de DigiKey	448-FF2MR12KM1HOSA1-ND
Fabricante	Infineon Technologies
Número de pieza del fabricante	FF2MR12KM1HOSA1
Descripción	MOSFET 2N-CH 1200V 500A AG-62MM
Referencia del cliente
Descripción detallada	MOSFET - Arreglos 1200V (1.2kV) 500A (Tc) Montaje de chasis AG-62MM
Hoja de datos	Hoja de datos
Modelos EDA/CAD	FF2MR12KM1HOSA1 Modelos

Atributos del producto

Tipo	Descripción	Seleccionar todo
Categoría	Productos de semiconductores discretos Transistores FET, MOSFET Arreglos FET, MOSFET
Fabricante	Infineon Technologies
Serie	CoolSiC™
Embalaje	Bandeja
Estado de pieza	Obsoleto
Tecnología	Carburo de silicio (SiC)
Configuración	2 canales N (medio puente)
Característica de FET	-
Voltaje de drenaje a fuente (Vdss)	1200V (1.2kV)
Corriente - consumo continuo (Id) a 25ºC	500A (Tc)
Rds On (máx) @ Id, Vgs	2.13mOhm a 500A, 15V
Vgs(th) (máx) a Id	5.15V a 224mA
Carga de compuerta (Qg) (máx.) a Vgs	1340nC a 15V
Capacitancia de entrada (Ciss) (máx.) a Vds	39700pF a 800V
Potencia - Máx.	-
Temperatura de funcionamiento	-40°C ~ 150°C (TJ)
Tipo de montaje	Montaje de chasis
Paquete / Caja (carcasa)	Módulo
Paquete del dispositivo del proveedor	AG-62MM
Número de producto base	FF2MR12

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