FF11MR12W1M1B11BOMA1 Infineon Technologies | Productos de semiconductores discretos

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FF11MR12W1M1B11BOMA1
N.º de producto de DigiKey	FF11MR12W1M1B11BOMA1-ND
Fabricante	Infineon Technologies
Número de pieza del fabricante	FF11MR12W1M1B11BOMA1
Descripción	MOSFET 2N-CH 1200V 100A MODULE
Referencia del cliente
Descripción detallada	MOSFET - Arreglos 1200V (1.2kV) 100A Montaje de chasis Módulo
Hoja de datos	Hoja de datos

Atributos del producto

Tipo	Descripción	Seleccionar todo
Categoría	Productos de semiconductores discretos Transistores FET, MOSFET Arreglos FET, MOSFET
Fabricante	Infineon Technologies
Serie	CoolSiC™+
Embalaje	Bandeja
Estado de pieza	Obsoleto
Tecnología	Carburo de silicio (SiC)
Configuración	Dos canal N (doble)
Característica de FET	-
Voltaje de drenaje a fuente (Vdss)	1200V (1.2kV)
Corriente - consumo continuo (Id) a 25ºC	100A
Rds On (máx) @ Id, Vgs	11mOhm a 100A, 15V
Vgs(th) (máx) a Id	5.55V a 40mA
Carga de compuerta (Qg) (máx.) a Vgs	250nC a 15V
Capacitancia de entrada (Ciss) (máx.) a Vds	7950pF a 800V
Potencia - Máx.	-
Temperatura de funcionamiento	-40°C ~ 150°C (TJ)
Tipo de montaje	Montaje de chasis
Paquete / Caja (carcasa)	Módulo
Paquete del dispositivo del proveedor	Módulo
Número de producto base	FF11MR12