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Producto del mercado
Foto demostrada es una representación solamente. Datos específicos deben se obtener de las hojas de datos del producto.
F435MR07W1D7S8B11ABPSA1 | |
|---|---|
N.º de producto de DigiKey | 448-F435MR07W1D7S8B11ABPSA1-ND |
Fabricante | |
Número de pieza del fabricante | F435MR07W1D7S8B11ABPSA1 |
Descripción | MOSFET 4N-CH 650V 35A MODULE |
Plazo estándar del fabricante | 22 semanas |
Referencia del cliente | |
Descripción detallada | MOSFET - Arreglos 650V 35A Montaje de chasis Módulo |
Hoja de datos | Hoja de datos |
Atributos del producto
Tipo | Descripción | Seleccionar todo |
|---|---|---|
Categoría | ||
Fabricante | Infineon Technologies | |
Serie | ||
Embalaje | Bandeja | |
Estado de pieza | Activo | |
Tecnología | MOSFET (óxido de metal) | |
Configuración | Canal 4 N (puente completo) | |
Característica de FET | - | |
Voltaje de drenaje a fuente (Vdss) | 650V | |
Corriente - consumo continuo (Id) a 25ºC | 35A | |
Rds On (máx) @ Id, Vgs | 39.4mOhm a 35A, 10V | |
Vgs(th) (máx) a Id | 4.45V a 1.74mA | |
Carga de compuerta (Qg) (máx.) a Vgs | 141nC a 10V | |
Capacitancia de entrada (Ciss) (máx.) a Vds | 6950pF a 400V | |
Potencia - Máx. | - | |
Temperatura de funcionamiento | -40°C ~ 150°C (TJ) | |
Grado | - | |
Calificación | - | |
Tipo de montaje | Montaje de chasis | |
Paquete / Caja (carcasa) | Módulo | |
Paquete del dispositivo del proveedor | Módulo | |
Número de producto base |
En stock: 18
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Cantidad
Todos los precios se expresan en EUR
Bandeja
| Cantidad | Precio por unidad | Precio ext. |
|---|---|---|
| 1 | 47,91000 € | 47,91 € |
| 24 | 33,38875 € | 801,33 € |
| 120 | 31,94958 € | 3.833,95 € |
| Precio unitario sin IVA: | 47,91000 € |
|---|---|
| Precio unitario con IVA: | 57,97110 € |
