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Foto demostrada es una representación solamente. Datos específicos deben se obtener de las hojas de datos del producto.
F3L8MXTR12C2M2QH11BPSA1 | |
|---|---|
N.º de producto de DigiKey | 448-F3L8MXTR12C2M2QH11BPSA1-ND |
Fabricante | |
Número de pieza del fabricante | F3L8MXTR12C2M2QH11BPSA1 |
Descripción | F3L8MXTR12C2M2QH11BPSA1 |
Plazo estándar del fabricante | 12 semanas |
Referencia del cliente | |
Descripción detallada | MOSFET - Arreglos 1200V (1.2kV) 95A (Tj) Montaje de chasis |
Hoja de datos | Hoja de datos |
Atributos del producto
Tipo | Descripción | Seleccionar todo |
|---|---|---|
Categoría | ||
Fabricante | Infineon Technologies | |
Serie | ||
Embalaje | Bandeja | |
Estado de pieza | Activo | |
Tecnología | Carburo de silicio (SiC) | |
Configuración | 4 Canal N | |
Característica de FET | - | |
Voltaje de drenaje a fuente (Vdss) | 1200V (1.2kV) | |
Corriente - consumo continuo (Id) a 25ºC | 95A (Tj) | |
Rds On (máx) @ Id, Vgs | 8.3mOhm a 75A, 18V | |
Vgs(th) (máx) a Id | 5.15V a 33mA | |
Carga de compuerta (Qg) (máx.) a Vgs | 237nC a 18V | |
Capacitancia de entrada (Ciss) (máx.) a Vds | 7210pF a 800V | |
Potencia - Máx. | - | |
Temperatura de funcionamiento | -40°C ~ 175°C (TJ) | |
Grado | - | |
Calificación | - | |
Tipo de montaje | Montaje de chasis | |
Paquete / Caja (carcasa) | Módulo | |
Paquete del dispositivo del proveedor | - |
0 en stock
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Cantidad
Todos los precios se expresan en EUR
Bandeja
| Cantidad | Precio por unidad | Precio ext. |
|---|---|---|
| 1 | 152,75000 € | 152,75 € |
| 18 | 140,12500 € | 2.522,25 € |
| Precio unitario sin IVA: | 152,75000 € |
|---|---|
| Precio unitario con IVA: | 184,82750 € |
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